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申请/专利权人：湖北通格微电路科技有限公司
申请日：2024-03-06
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118048617A
主分类号：C23C14/50
分类号：C23C14/50;C23C14/35;C23C14/04;C23C14/16
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：本申请涉及一种用于深孔工件的镀膜设备，用以向开设有第一通孔的待镀膜工件镀膜，包括真空腔体及依次设于真空腔体内的磁控阴极靶、离子加速汇聚器及工件转架，磁控阴极靶与高功率脉冲电源相连，用于生成第一金属阳离子；工件转架可绕自身轴线旋转，用于固定待镀膜工件；离子加速汇聚器用于生成第二金属阳离子并加速第二金属阳离子和第一金属阳离子后形成沿第一通孔的延伸方向喷射的离子束。第二金属阳离子提高金属阳离子整体浓度、且以离子束轰击第一通孔，增加第一通孔附近的金属阳离子通量，均提高第一通孔内膜层的覆盖率；加速过程提高金属阳离子的能量，从而提高膜层结合力，也使金属阳离子能深入第一通孔内，增加膜层均匀性。
主权项：1.一种用于深孔工件的镀膜设备，用以向开设有第一通孔的待镀膜工件镀膜，其特征在于，包括真空腔体及依次设置于所述真空腔体内的磁控阴极靶、离子加速汇聚器及工件转架，其中：所述磁控阴极靶与高功率脉冲电源相连接，用于生成第一金属阳离子；所述工件转架可绕自身轴线旋转，用于固定待镀膜工件；所述离子加速汇聚器用于生成第二金属阳离子并加速所述第二金属阳离子和所述第一金属阳离子后形成沿所述第一通孔的延伸方向喷射的离子束。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖北通格微电路科技有限公司 用于深孔工件的镀膜设备及镀膜工艺
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