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申请/专利权人：淄博美林电子有限公司
申请日：2024-04-15
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118053862A
主分类号：H01L25/07
分类号：H01L25/07;H01L25/18;H01L23/495;H01L21/60
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：本发明提供一种IGBT并联使用结构及其制作方法，涉及半导体器件制造技术领域。并联使用结构包括若干个并联排放的IGBT单管，还包括导电组件，所述导电组件分别将若干个IGBT单管的发射极、集电极、栅极进行并联；所述导电组件的形状与IGBT单管的形状相适配，所述导电组件的长度与若干个IGBT单管并联后的长度相适配；制作方法包括步骤S1：分别制作形状相适配的IGBT单管和导电组件；步骤S2：将IGBT单管与导电组件相结合。本发明解决了现有技术中对IGBT进行并联使用时，需要单独将每个IGBT单管分别插入到应用设备上后再依次进行导电连接，进而会导致安装程序较为复杂、需要耗费较多的时间和人工成本，从而不适用于进行大规模并联的问题。
主权项：1.一种IGBT并联使用结构，包括若干个并联排放的IGBT单管，其特征在于：还包括导电组件，所述导电组件分别将若干个IGBT单管的发射极、集电极、栅极进行并联；所述导电组件的形状与IGBT单管的形状相适配，所述导电组件的长度与若干个IGBT单管并联后的长度相适配。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 淄博美林电子有限公司 IGBT并联使用结构及其制作方法
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