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【发明公布】具金属屏蔽层的芯片封装及其制造方法_华东科技股份有限公司_202211434061.X 

申请/专利权人:华东科技股份有限公司

申请日:2022-11-16

公开(公告)日:2024-05-17

公开(公告)号:CN118053856A

主分类号:H01L23/552

分类号:H01L23/552;H01L23/528;H01L21/50

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开

摘要:本发明公开一种具金属屏蔽层的芯片封装及其制造方法,其中该芯片封装包含一芯片、一重布线层及一金属屏蔽层;其中该芯片具有一第一表面及一第二表面,该芯片是由一晶圆上所分割下来形成;其中该重布线层是设在该芯片的至少一芯片保护层的一表面上,该重布线层具有至少一导接线路以与该芯片的至少一晶垫对应电性连接,且各导接线路具有至少一焊垫外露于该重布线层的一表面以对外电性连接;其中该金属屏蔽层是覆盖地设于该芯片的该第二表面上,供用以防止该芯片及各导接线路受到来自外界的电磁或光的干扰,并以此增进该芯片封装的结构强度。

主权项:1.一种具金属屏蔽层的芯片封装,其特征在于,包含:一芯片,其具有一第一表面及一相对于该第一表面的第二表面,该第一表面上设有至少一晶垫及至少一芯片保护层;其中该芯片是由一晶圆上所分割下来形成;一重布线层,其是设在该芯片的该至少一芯片保护层的一表面上,该重布线层具有至少一导接线路以与该芯片的该至少一晶垫对应电性连接,且该至少一导接线路具有至少一焊垫,该至少一焊垫外露于重布线层的一表面以对外电性连接;及一金属屏蔽层,其是覆盖地设于该芯片的该第二表面上,供用以防止该芯片及该至少一导接线路受到来自外界的电磁或光的干扰,并以此增进该芯片封装的结构强度。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 华东科技股份有限公司 具金属屏蔽层的芯片封装及其制造方法

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