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申请/专利权人：苏州汉骅半导体有限公司
申请日：2023-05-12
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN116581159B
主分类号：H01L29/78
分类号：H01L29/78;H01L21/336;H01L29/08;H01L29/417;H01L29/15;H01L29/06
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.17#授权;2023.08.29#实质审查的生效;2023.08.11#公开
摘要：本发明公开了一种垂直型功率器件及其制备方法。该功率器件包括漏极；第一缓冲层，位于所述漏极上；补丁层，位于所述第一缓冲层上，用于降低外延孔洞产生的电子泄露；第二缓冲层，位于所述补丁层上；沟道层，位于所述第二缓冲层上；势垒层，位于所述沟道层上；盖层，位于所述势垒层上；栅极、第一源极和第二源极，位于所述盖层上，其中所述第一源极和所述第二源极位于所述栅极的两侧。采用上述结构引入补丁层替代传统牺牲层，可以阻挡来自外延层中的孔洞，可有效降低高频垂直型器件的电子泄露，减少漏电使得器件可靠性更佳。
主权项：1.一种垂直型功率器件，其特征在于，包括：漏极；第一缓冲层，位于所述漏极上；补丁层，位于所述第一缓冲层上，用于降低外延孔洞产生的电子泄露；第二缓冲层，位于所述补丁层上；沟道层，位于所述第二缓冲层上；势垒层，位于所述沟道层上；盖层，位于所述势垒层上；栅极、第一源极和第二源极，位于所述盖层上，其中所述第一源极和所述第二源极位于所述栅极的两侧；所述补丁层包括第一补丁层，材质为氮化铌。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州汉骅半导体有限公司 垂直型功率器件及其制备方法
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