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申请/专利权人：上海新昇半导体科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日：2021-04-07
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN113125854B
主分类号：G01R27/02
分类号：G01R27/02;G01R31/28;G01R1/073
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.17#授权;2021.08.03#实质审查的生效;2021.07.16#公开
摘要：本发明提供了一种硅片导电类型的判定方法，包括：提供待测硅片，对所述待测硅片进行刻蚀处理；在所述刻蚀处理前后分别对所述待测硅片进行第一次电阻率测试和第二次电阻率测试，得到相应的第一电阻率和第二电阻率，通过对比所述第一电阻率和所述第二电阻率判断所述待测硅片的导电类型；或者，在所述刻蚀处理后测量所述待测硅片中不同深度的电阻率变化情况，根据所述待测硅片中不同深度的电阻率变化情况判断所述待测硅片的导电类型。本发明用于判断具有高电阻率的硅片的导电类型，且测试结果不受硅片的表面电荷的影响，操作简单，对设备的要求低，成本低廉。
主权项：1.一种硅片导电类型的判定方法，其特征在于，包括：提供待测硅片，所述待测硅片的电阻率为100ohm·cm~10000ohm·cm；对所述待测硅片进行第一次电阻率测试，得到第一电阻率；对所述待测硅片进行湿法刻蚀处理，刻蚀剂为氢氟酸溶液，使得所述待测硅片的硅与刻蚀剂中的氢成键，在所述待测硅片的表面引入表面态，使得所述待测硅片的表面带正电；对所述待测硅片进行第二次电阻率测试，得到第二电阻率；以及，对比所述第一电阻率和所述第二电阻率，判断所述待测硅片的导电类型；若所述第一电阻率大于所述第二电阻率，则所述待测硅片的导电类型为N型，若所述第一电阻率小于所述第二电阻率，则所述待测硅片的导电类型为P型。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海新昇半导体科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 硅片导电类型的判定方法
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