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申请/专利权人：深圳先进电子材料国际创新研究院
申请日：2022-07-29
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN115376757B
主分类号：H01B13/00
分类号：H01B13/00;H01B5/14
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.17#授权;2022.12.09#实质审查的生效;2022.11.22#公开
摘要：本发明提供了一种抗氧化的铜纳米线透明电极及其制备方法和应用，属于磁传感技术领域。本发明的抗氧化的铜纳米线透明电极的制备方法，先对铜纳米线原液经过清洗纯化，高压喷涂成膜，再经酸洗、氩气等离子体处理，最后通过原子层沉积技术ALD在铜纳米线导电网络上沉积氧化铝保护层，形成以铜纳米线为内核、氧化铝为外壳的异质结构，得到抗氧化很强的铜纳米线透明电极。本发明中通过原子层沉积的氧化铝，致密，隔离效果好，抗氧化性能强；引入的氧化铝外壳厚度为均匀的纳米级别，对透明电极的透光性和方阻几乎没有影响；氩气等离子处理可对铜纳米线导电网络起到焊接作用，极大地减少了接触电阻，提高导电性能。
主权项：1.一种抗氧化的铜纳米线透明电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：取液相法制备得到的铜纳米线原液，采用非极性有机溶剂清洗并离心分离，将得到的铜纳米线溶于无水乙醇中得到铜纳米线分散液；S2：用去离子水稀释步骤S1得到的铜纳米线分散液，并超声处理；S3：在步骤S2得到的溶液中加入有机酸溶液，同时超声处理，除去铜纳米线表面的包覆剂；S4：对步骤S3得到的溶液进行滤膜抽滤纯化，随后将铜纳米线重新溶解于无水乙醇中；S5：重复一遍步骤S2中的稀释和步骤S4中的滤膜抽滤纯化、重溶解过程，得到铜纳米线喷涂液以备用；S6：将步骤S5得到的喷涂液在柔性基底上进行高压喷涂成膜，同时用加热台在柔性基底底部加热蒸发溶剂，得到铜纳米线薄膜；S7：将步骤S6得到的铜纳米线薄膜加入所述有机酸溶液中浸泡处理，之后用无水乙醇润洗，再真空烘干，初步得到铜纳米线透明电极；S8：对步骤S7得到的铜纳米线透明电极进行氩气等离子体处理，之后真空存储，得到导电性能更强的铜纳米线透明电极；S9：通过采用原子层沉积技术在步骤S8得到的铜纳米线透明电极表面沉积氧化铝保护层，得到抗氧化的铜纳米线透明电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳先进电子材料国际创新研究院 一种抗氧化的铜纳米线透明电极及其制备方法和应用
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