申请/专利权人：烁光特晶科技有限公司

申请日：2008-04-30

公开（公告）日：2008-12-10

公开（公告）号：CN101319385A

主分类号：C30B29/22(2006.01)

分类号：C30B29/22(2006.01);C30B29/14(2006.01);C30B9/00(2006.01);C30B11/14(2006.01)

优先权：

专利状态码：有效-专利权的转移

法律状态：2020.06.26#专利权的转移;2011.09.28#授权;2009.02.04#实质审查的生效;2008.12.10#公开

摘要：本发明公开了一种适于制作PPKTP器件的KTP晶体生长方法，包括步骤：A制作长X向片状籽晶：从可获得的X向最长的KTP原晶坯料中沿XZ平面切割籽晶片，在X向最长位置垂直于Z向加工一YZ平面，然后在该YZ平面沿X方向的中心线向两端的XZ平面倒角，形成的顶角α的范围在0°＜α≤180°之间，并细磨倒角面以作为籽晶生长面；B将籽晶按照籽晶的生长面浸入到熔液中的方式下种，进行晶体的生长。本发明选用长X向线籽晶来达到控制晶体生长过程中选择性生长的速率问题，可采用粗糙化X面生长进一步延长籽晶X向长度，且生成晶体的X向折射率和电导率均匀性较普通助熔剂生长方法大为提高，生长成的晶体适于制作高质量光参量器件和PPKTP器件。

主权项：1、一种适于制作PPKTP器件的KTP晶体生长方法，其特征在于包括以下步骤：A长X向片状籽晶制作：从可获得的X向最长的KTP原晶坯料中平行XZ平面切割籽晶片，在X向最长位置垂直于Z向加工一YZ平面，然后在该YZ平面沿X方向的中心线向两端的XZ平面倒角，形成的顶角α的范围在0°＜α≤180°之间，并细磨倒角面以作为籽晶生长面；B将籽晶的生长面浸入到熔液中的方式下种，进行晶体的生长；所述生长熔液中KTP与磷酸盐助熔剂中的K6的比例可选择KTP∶K6为摩尔比0.7-2之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 烁光特晶科技有限公司 一种适于制作PPKTP器件的KTP晶体生长方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD