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【发明公布】低温制备高压电性能LNO/BCT-0.5BZT薄膜的方法_哈尔滨理工大学_201510869541.2 

申请/专利权人:哈尔滨理工大学

申请日:2015-12-01

公开(公告)日:2016-02-03

公开(公告)号:CN105294110A

主分类号:C04B35/622(2006.01)I

分类号:C04B35/622(2006.01)I;C04B35/465(2006.01)I

优先权:

专利状态码:失效-发明专利申请公布后的视为撤回

法律状态:2018.02.06#发明专利申请公布后的视为撤回;2016.03.02#实质审查的生效;2016.02.03#公开

摘要:低温制备高压电性能LNOBCT-0.5BZT薄膜的方法,它涉及一种薄膜的制备方法,属于高压电性能LNOBCT-0.5BZT薄膜的制备领域。本发明是为了解决现有BCT-BZT薄膜晶化温度高,导致界面扩散引起高的漏电流密度的技术问题。本方法如下:一、制备前驱体BCT-BZT;二、制备镍酸镧溶胶;三、制备非晶态薄膜;四、制备LNOPtTiSiO2Si;五、制备无定形膜;六、制备BCT-0.5BZT薄膜。LNOBCT-0.5BZT薄膜相比于BCT-0.5BZT薄膜,结晶温度降低到550℃,降低了薄膜的漏电流密度。具有最小的漏电流密度为1.27×10-6Acm。

主权项:低温制备高压电性能LNOBCT‑0.5BZT薄膜的方法,其特征在于低温制备高压电性能LNOBCT‑0.5BZT薄膜的方法如下:一、将乙酸钡和乙酸钙溶于冰乙酸中,充分搅拌,待溶质完全溶解冷却至室温后,滴加丙醇锆,搅拌20~40min,加入钛酸四丁酯,最后滴加乙二醇甲醚调节,得到浓度为0.3~0.4molL的前驱体BCT‑BZT,其中乙酸钙与乙酸钡的摩尔比为0.1~0.2﹕1,钛酸四丁酯与乙酸钡的摩尔比为0.2~0.6﹕1,丙醇锆与乙酸钡的摩尔比为0.1~0.2﹕1;二、把硝酸镧和醋酸镍加入乙二醇甲醚中,然后保持温度为55℃~65℃、转速为500rmin~700rmin、搅拌时间为20min~40min的条件下,添加乙二醇甲醚调节溶胶浓度为0.02~0.08molL,陈化24h,得到镍酸镧溶胶,其中硝酸镧与乙二醇甲醚的摩尔比为:0.006~0.007﹕1,醋酸镍与乙二醇甲醚的摩尔比为0.006~0.007﹕1;三、打开匀胶机,将PtTiSiO2Si衬底放在匀胶机的吸盘处,调节转速为3500rs~4500rs,旋涂时间为12~18s,用注射器将步骤二中获得的镍酸镧溶胶逐滴铺满PtTiSiO2Si衬底的一角,开始甩膜,结束,获得非晶态薄膜;四、将步骤三得到的非晶态薄膜,放在温度为400~500℃的平板炉中,热分解40~80s,获得LNOPtTiSiO2Si;五、将步骤四得到的LNOPtTiSiO2Si放在匀胶机吸盘处,将步骤一的BCT‑0.5BZT前驱体逐滴铺满LNOPtTiSiO2Si的一角,开始甩膜,调节转速为3500rs~4500rs,旋涂时间为12~18s,获得非晶态湿膜,将非晶态湿膜放在400~500℃的平板炉中,热分解时间为100~140s,获得无定形膜;六、将步骤五获得的无定形膜按照步骤五的操作方法重复3~5次,然后在550~700℃进行退火处理30~60min得到BCT‑0.5BZT薄膜。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 哈尔滨理工大学 低温制备高压电性能LNO/BCT-0.5BZT薄膜的方法

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