申请/专利权人:中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日:2021-07-28
公开(公告)日:2023-02-03
公开(公告)号:CN115677342A
主分类号:C04B35/475
分类号:C04B35/475;C04B35/50;C04B35/622
优先权:
专利状态码:失效-发明专利申请公布后的视为撤回
法律状态:2024.03.01#发明专利申请公布后的视为撤回;2023.02.21#实质审查的生效;2023.02.03#公开
摘要:本发明涉及一种钙钛矿结构BNTLNO异质外延薄膜的制备方法。所述钙钛矿结构BNTLNO异质外延薄膜的制备方法包括:(1)将镍酸镧前驱体溶液旋涂在单晶衬底表面,然后在600~800℃下退火3~60分钟,得到LNO导电氧化物薄膜;(2)将钛酸铋钠前驱体溶液旋涂在LNO导电底电极薄膜表面,然后在600~800℃下退火3~60分钟,得到所述钙钛矿结构BNTLNO异质外延薄膜。
主权项:1.一种钙钛矿结构BNTLNO异质外延薄膜的制备方法,其特征在于,包括:(1)将镍酸镧前驱体溶液旋涂在单晶衬底表面,然后在600~800℃下退火3~60分钟,得到LNO导电氧化物薄膜;(2)将钛酸铋钠前驱体溶液旋涂在LNO导电底电极薄膜表面,然后在600~800℃下退火3~60分钟,得到所述钙钛矿结构BNTLNO异质外延薄膜。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种钙钛矿结构BNT/LNO异质外延薄膜的制备方法
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