申请/专利权人：索泰克公司

申请日：2019-03-26

公开（公告）日：2020-11-06

公开（公告）号：CN111902572A

主分类号：C30B23/02(20060101)

分类号：C30B23/02(20060101);C30B25/18(20060101);C30B29/30(20060101);C30B33/06(20060101);H01L21/762(20060101)

优先权：["20180328 FR 1800256"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.02.23#实质审查的生效;2020.11.06#公开

摘要：一种用于生产LNO材料的单晶层的方法，其包括将YSZ材料的单晶晶种层转移到硅材料的载体衬底，随后外延生长所述LNO材料的单晶层。

主权项：1.一种用于生产LNO材料的单晶层300，300'，3001，3002，3003的方法，其包括将YSZ材料的单晶晶种层200，200'，2000'转移到硅材料的载体衬底100，100'，100"，随后外延生长所述LNO材料的单晶层300，300'，3001，3002，3003。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 索泰克公司 LNO材料单晶层的制造方法和外延生长LNO材料单晶层的衬底

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