申请/专利权人：西安交通大学;广东捷成科创电子股份有限公司

申请日：2023-06-09

公开（公告）日：2023-09-05

公开（公告）号：CN116693286A

主分类号：C04B35/475

分类号：C04B35/475;C04B35/622;C04B35/64;H10N30/853;H10N30/097

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.09.22#实质审查的生效;2023.09.05#公开

摘要：本发明公开了一种低应变迟滞度的BNT‑BT‑NN陶瓷及其分步烧结的制备方法，包括：分别称取分析纯度的原料，经过一次球磨、预烧、二次球磨、烘干、造粒和压片，得到所述组分的陶瓷素坯。随后经过排胶、烧结处理，得到所述的BNT‑BT‑NN陶瓷材料，其中烧结工艺采用分三步烧结方法，最后经过被银和极化操作后，制得较低应变迟滞度的BNT‑BT‑NN陶瓷片。本发明通过优化BNT‑BT‑NN陶瓷的烧结方法，不仅降低了陶瓷的烧结温度，同时大幅降低陶瓷的应变迟滞度，工艺条件易于控制，实用性较强，有利于工业化大规模生产，提高该材料在压电致动器领域的应用价值。

主权项：1.一种低应变迟滞度的BNT-BT-NN陶瓷，其特征在于，所述BNT-BT-NN陶瓷的化学式为0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3-0.035NaNbO3。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安交通大学;广东捷成科创电子股份有限公司 一种低应变迟滞度的BNT-BT-NN陶瓷及其分步烧结的制备方法

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