申请/专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所

申请日：2022-09-30

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117881269A

主分类号：H10N60/01

分类号：H10N60/01

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明提供一种分步刻蚀的约瑟夫森结制备方法，至少包括：1提供衬底，于衬底表面依次沉积第一超导材料层、势垒层、第二超导材料层；2利用光刻和显影工艺，在第二超导材料层表面形成第一光刻胶图形，将第一光刻胶图形作为掩模，刻蚀部分第二超导材料层，以形成上电极和覆盖势垒层的超导薄层，去除第一光刻胶图形；3利用光刻和显影工艺，在上电极和超导薄层表面形成第二光刻胶图形，将第二光刻胶图形作为掩模，依次刻蚀超导薄层和势垒层，去除第二光刻胶图形；4刻蚀第一超导材料层，以形成下电极。本发明在刻蚀势垒层之前，在其表面保留了很薄的一层超导材料层，可以隔绝光刻显影时势垒层与显影液的反应，避免生成黑色反应物。

主权项：1.一种分步刻蚀的约瑟夫森结制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括：1提供衬底，于所述衬底表面依次沉积第一超导材料层、势垒层、第二超导材料层；2利用光刻和显影工艺，在所述第二超导材料层表面形成第一光刻胶图形，将所述第一光刻胶图形作为掩模，刻蚀部分所述第二超导材料层，以形成上电极和覆盖所述势垒层的超导薄层，去除所述第一光刻胶图形；3利用光刻和显影工艺，在所述上电极和所述超导薄层表面形成第二光刻胶图形，将所述第二光刻胶图形作为掩模，依次刻蚀所述超导薄层和所述势垒层，暴露出所述第一超导材料层表面，去除所述第二光刻胶图形；4刻蚀所述第一超导材料层，以形成下电极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种分步刻蚀的约瑟夫森结制备方法

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