申请/专利权人：本源量子计算科技(合肥)股份有限公司

申请日：2023-12-18

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN117835803A

主分类号：H10N60/12

分类号：H10N60/12;H10N60/85;H10N60/01

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.23#实质审查的生效;2024.04.05#公开

摘要：本申请公开了一种量子器件、约瑟夫森结及其制造和定制临界电流的方法，属于量子芯片制造领域。该约瑟夫森结包括第一结区和第二结区。其中第一结区包括依次层叠的第一超导层、第一势垒层以及第二超导层。第二结区由第二超导层、第二势垒层以及第三超导层共同构成，并且第二势垒层叠于第二超导层表面，第三超导层叠于第二势垒层表面。上述的约瑟夫森结可以通过增加配置第二势垒层和第三超导层可以调制约瑟夫森结的能隙，从而能够用于实现提高结的抗噪声能力，并且还有助于结的临界电流。

主权项：1.一种约瑟夫森结，其特征在于，包括：第一结区，具有依次层叠的第一超导层、第一势垒层以及第二超导层；第二势垒层，层叠于第二超导层的表面；以及第三超导层，层叠于第二势垒层的表面；其中的第二超导层、第二势垒层以及第三超导层共同构成第二结区。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 本源量子计算科技(合肥)股份有限公司 量子器件、约瑟夫森结及其制造和定制临界电流的方法

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