申请/专利权人：中国电子科技集团公司第三十八研究所

申请日：2023-02-20

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN116130918B

主分类号：H01P5/16

分类号：H01P5/16;H01P11/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2023.06.02#实质审查的生效;2023.05.16#公开

摘要：本发明提供一种硅基微同轴威尔金森功分器结构及其一体化制备方法，涉及功分器技术领域。本明首先通过湿法腐蚀硅基底制备带有平缓坡度的一分二样式的开放式微沟槽，在开放式微沟槽内沉积带有用于布置隔离电阻的窗口的下层外导体，相当于利用开放式微沟槽的缓坡一次性沉积外导体的侧壁外导体和下层外导体；然后在沟槽内同时电镀内导体和隔离电阻，内导体与隔离电阻的厚度可控；最后电镀上层外导体，电镀完成后，与下层外导体和隔离电阻一起组成以空气为介质的轴威尔金森功分器。制备过程仅有两次电镀过程，制作步骤简单，制备成本低，可实现大规模生产。

主权项：1.一种硅基微同轴威尔金森功分器结构的一体化制备方法，其特征在于，包括：S1、在硅基底（100）制备开放式微沟槽（101），所述开放式微沟槽（101）的侧壁倾斜，与底部平缓连接；所述底部还包括分隔结构；S2、在所述开放式微沟槽（101）的表面沉积介质层（201）；S3、在所述介质层（201）上制备下层外导体（301），所述下层外导体（301）上开设横跨分隔结构的第一窗口（302）；S4、在所述下层外导体（301）上制备光刻胶支撑体（401）；S5、在所述光刻胶支撑体（401）上沉积第一金属种子层并进行匀胶光刻，定义出内导体的输入端（501）、第一输出端（502）和第二输出端（503），以及隔离电阻（504）、连接线（505）区域并进行电镀；电镀完成后去除所述第一金属种子层；其中，所述第一输出端（502）和第二输出端（503）分别位于分隔结构划分的两侧区域；所述隔离电阻（504）在第一窗口（302）内与对应的输出端相连，并通过连接线（505）跨过分隔结构两两连接；S6、在所述内导体上制备图形化的光刻胶覆盖内导体，在光刻胶上沉积第二金属种子层并重新匀胶光刻，定义出上层外导体（601）区域并进行电镀；电镀完成后去除所述第二金属种子层；其中，所述上层外导体（601）与下层外导体（301）相连，设有第二窗口（602），以及用于布置所述连接线（505）的第三窗口（603）；S7、通过所述第二窗口（602）去除内外导体之间的光刻胶，获取以空气为介质的硅基微同轴威尔金森功分器；其中，去除的光刻胶为S5和S6中用于电镀的光刻胶，为同一类型光刻胶且区别于所述光刻胶支撑体（401）。

全文数据：

权利要求：

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