申请/专利权人：本源量子计算科技(合肥)股份有限公司

申请日：2023-12-05

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117867444A

主分类号：C23C14/04

分类号：C23C14/04;H10N60/01;C23C14/24

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明公开了一种掩膜及其制造方法、约瑟夫森结的制造方法。掩膜包括：形成在衬底上，具有贯通的窗口的第一光刻胶层；形成于第一光刻胶层上，对应窗口的区域内形成有连通窗口的预设图形集合的第二光刻胶层，预设图形集合包括多个分布于相同方向上的窗口图形；各个窗口图形在第一方向上的宽度均小于第一距离；各个窗口图形与在第一方向上相邻的窗口图形之间距离均小于第一距离。基于此，利用该掩膜进行约瑟夫森结制造时，可实现每个窗口图形在衬底的第二投影区域仅与相邻的窗口图形在衬底的第一投影区域存在重叠，在重叠区域形成约瑟夫森结，极大提高制造约瑟夫森结的效率。

主权项：1.一种掩膜，其特征在于，包括：第一光刻胶层，用于形成在衬底上，所述第一光刻胶层形成有贯通的窗口；第二光刻胶层，形成于所述第一光刻胶层上，所述第二光刻胶层对应所述窗口的区域内形成有连通所述窗口的预设图形集合，所述预设图形集合包括多个窗口图形；每个所述窗口图形均分布于相同方向上；所述预设图形集合在第一方向上平移第一距离后仍位于所述第二光刻胶层的区域内，所述第一方向平行于所述第二光刻胶层；各个所述窗口图形在所述第一方向上的宽度均小于所述第一距离；各个所述窗口图形与在所述第一方向上相邻的窗口图形之间距离均小于所述第一距离。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 本源量子计算科技(合肥)股份有限公司 掩膜及其制造方法、约瑟夫森结的制造方法

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