申请/专利权人：应用材料公司

申请日：2015-03-10

公开（公告）日：2019-11-26

公开（公告）号：CN106133883B

主分类号：H01L21/3065(20060101)

分类号：H01L21/3065(20060101)

优先权：["20140314 US 61/953,593"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2019.11.26#授权;2017.02.22#实质审查的生效;2016.11.16#公开

摘要：提供用于蚀刻设置在基板上的电介质层的方法。所述方法包括：在蚀刻处理腔室中，将基板从静电夹头松开；以及在将基板从静电夹头松开的同时，循环地蚀刻电介质层。循环蚀刻的步骤包括：由供应至蚀刻处理腔室中的蚀刻气体混合物远程地生成等离子体，以便在第一温度下蚀刻设置在基板上的电介质层。蚀刻电介质层生成蚀刻副产物。循环蚀刻的步骤也包括：在蚀刻处理腔室中，竖直地向气体分配板移动基板；以及使升华气体从气体分配板流向基板以使蚀刻副产物升华。在第二温度下执行升华，其中第二温度高于第一温度。

主权项：1.一种用于蚀刻设置在基板上的电介质层的方法，所述方法包含以下步骤：在蚀刻处理腔室中，将所述基板从静电夹头松开，所述基板设置在所述静电夹头上；以及在将所述基板从所述静电夹头松开的同时，循环地蚀刻所述电介质层，其中所述循环蚀刻的步骤包含以下步骤：由供应至所述蚀刻处理腔室中的蚀刻气体混合物远程地生成等离子体，以便在第一温度下蚀刻设置在所述基板上的所述电介质层，其中蚀刻所述电介质层生成蚀刻副产物；在所述蚀刻处理腔室中，竖直地向气体分配板移动所述基板；以及使升华气体从所述气体分配板流向所述基板，以便在第二温度下使所述蚀刻副产物升华，其中所述第二温度高于所述第一温度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 应用材料公司 使用气体分配板热的温度跃升

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