申请/专利权人：颖飞公司

申请日：2019-07-10

公开（公告）日：2020-01-10

公开（公告）号：CN209928057U

主分类号：G02B6/126(20060101)

分类号：G02B6/126(20060101);G02B6/10(20060101)

优先权：["20180711 US 16/033,074"]

专利状态码：失效-未缴年费专利权终止

法律状态：2021.07.06#未缴年费专利权终止;2020.01.10#授权

摘要：本申请涉及横电偏振器。公开了一种横电TE偏振器。TE偏振器包括具有二氧化硅层的绝缘体上硅衬底。TE偏振器进一步包括嵌入在二氧化硅层中的波导。此外，TE偏振器包括嵌入在二氧化硅层中的板结构，板结构以一间隙距离与波导基本平行。在实施方式中，板结构对在通过波导行进的光波中的横磁TM模式诱导额外的传输损失。

主权项：1.一种横电偏振器，其特征在于，包括：绝缘体上硅衬底，具有二氧化硅层；波导，嵌入在所述二氧化硅层中；板结构，嵌入在所述二氧化硅层中，所述板结构以一间隙距离与所述波导平行，并且所述板结构对在通过所述波导行进的光波中的横磁模式诱导额外的传输损失。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 颖飞公司 横电偏振器

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD