申请/专利权人：赛奥科思有限公司;住友化学株式会社

申请日：2019-07-26

公开（公告）日：2020-02-11

公开（公告）号：CN110777433A

主分类号：C30B29/40(20060101)

分类号：C30B29/40(20060101);C30B25/02(20060101)

优先权：["20180730 JP 2018-142906","20190226 JP 2019-032386"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.09.29#授权;2021.05.18#实质审查的生效;2020.02.11#公开

摘要：本发明涉及一种氮化物晶体。本发明的课题在于，提高氮化物晶体的品质，提高使用该晶体而制造的半导体设备的性能、成品率。本发明的解决手段是提供一种氮化物晶体，其是用InxAlyGa1‑x‑yN的组成式其中，0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1表示的晶体，晶体中的B的浓度低于1×1015atcm3，晶体中的O和C的各浓度在晶体的主面的60％以上的区域中均低于1×1015atcm3。

主权项：1.一种氮化物晶体，其是用InxAlyGa1-x-yN的组成式表示的晶体，其中，0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1，所述晶体中的B的浓度低于1×1015atcm3，所述晶体中的O和C的各浓度在所述晶体的主面的60％以上的区域中均低于1×1015atcm3。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 赛奥科思有限公司;住友化学株式会社 氮化物晶体

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