申请/专利权人：尼瓦洛克斯-法尔股份有限公司

申请日：2016-09-05

公开（公告）日：2020-05-15

公开（公告）号：CN106502080B

主分类号：G04D3/00(20060101)

分类号：G04D3/00(20060101)

优先权：["20150908 EP 15184184.8"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.05.15#授权;2017.04.12#实质审查的生效;2017.03.15#公开

摘要：由硅基基底1制造微机械钟表部件的方法，其依序包括步骤：a在所述硅基基底1的表面的至少一个部分的表面上形成确定深度的孔2，b用选自金刚石、类金刚石碳DLC、氧化硅、氮化硅、陶瓷、聚合物及其混合物的材料完全填充所述孔2，以在孔2中形成厚度至少等于孔2的深度的所述材料的层。本发明还涉及包含硅基基底1的微机械钟表部件，其在所述硅基基底1的表面的至少一个部分的表面上具有确定深度的孔2，所述孔2被厚度至少等于孔2的深度的选自金刚石、类金刚石碳DLC、氧化硅、氮化硅、陶瓷、聚合物及其混合物的材料的层完全填充。

主权项：1.由硅基基底1制造微机械钟表部件的方法，其依序包括步骤：a在所述硅基基底1的表面的至少一个部分的表面上形成确定深度的孔2，所述深度为大于100微米，b用选自金刚石、类金刚石碳DLC、氧化硅、氮化硅、陶瓷、及其混合物的材料完全填充所述孔2，以在孔2中形成厚度至少等于孔2的深度的所述材料的层。

全文数据：制造微机械钟表部件的方法和所述微机械钟表部件技术领域[0001] 本发明涉及制造增强的硅基微机械钟表部件的方法。本发明还涉及增强的硅基微机械钟表部件，特别能够通过这种方法获得的那些。[0002] 发明背景[0003] 硅是越来越多地用于制造微机械钟表部件的材料，特别是保持与它们被机械加工在其上的硅基基底连接的部件。[0004] 相对于用作制造微机械钟表部件，如齿轮或擒纵机构组件的标准的金属或合金，硅具有许多优点。其是非常轻质的极硬材料，这因此使其可具有大幅降低的惯性并因此改进效率。硅同样可以制造复杂或整体部件。[0005] 为了改进或改变硅的性质，已知在硅上沉积合适材料的层。因此，为了改进其摩擦学性质，在硅上沉积金刚石，例如通过薄膜气相沉积法CVDPVD进行。[0006] 但是，当沉积层的厚度超过几微米时，这些方法具有可证实太慢的沉积速率。实际上，CVD机器中的沉积速率例如通常为10纳米分钟左右，这一技术通常不用于制造大于几微米的层。[0007] 因此必须提出能够实现在硅上快速沉积合适材料的厚层的制造硅基微机械钟表部件的方法。发明内容[0008] 为此，本发明涉及一种由硅基基底制造微机械钟表部件的方法，其依序包括步骤:[0009] a在所述硅基基底的表面的至少一个部分的表面上形成确定深度的孔，[0010] b用选自金刚石、类金刚石碳DLC、氧化硅、氮化硅、陶瓷、聚合物及其混合物的材料完全填充所述孔，以在所述孔中形成厚度至少等于所述孔的深度的所述材料的层。[0011] 本发明还涉及能够通过如上定义的方法获得的微机械钟表部件。[0012] 本发明还涉及包含在其表面之一的至少一个部分的表面上具有确定深度的孔的硅基基底的微机械钟表部件，所述孔被厚度至少等于所述孔的深度的选自金刚石、类金刚石碳DLC、氧化硅、氮化硅、陶瓷、聚合物及其混合物的材料的层完全填充。[0013] 有利地，该钟表部件可包含在硅基基底的表面和用所述材料填充的孔的表面上的所述材料的表面层。[0014] 由于在基底表面上预先形成孔，本发明的方法能够产生比初始表面大得多的实际基底表面并因此极大提高合适材料的表观沉积速率。因此，相对于在类似但无孔基底的平面上的沉积，本发明的方法能够在大幅降低的快速时间内在硅基基底的表面上制造合适材料的厚层。附图说明[0015] 在仅作为非限制性实例给出并通过附图示出的本发明的至少一个实施方案的下列详述中更清楚看出本发明的目标、优点和特征，其中:[0016] -图1至3示意性示出本发明的制造方法的步骤。具体实施方式[0017] 根据本发明由娃基基底制造微机械钟表部件的方法首先包括步骤a:由所述娃基基底的表面的至少一个部分的表面开始，形成确定深度的孔，所述孔在硅基基底的外表面处打开。根据要形成的微机械钟表部件选择硅基基底。在实施本发明的方法之前或之后，取决于要制造的微机械钟表部件，给出硅基基底的最终形式。在本发明中，术语“娃基基底”是指基底中的娃层和由娃制成的基底^■者。优选地，如图1中所不，娃基基底1是娃晶片或SOI晶片绝缘体上的硅。既可以在平行于基底平面的表面上也可以在垂直于基底平面的表面上形成孔。[0〇18]有利地，这一步骤a可通过选自电化学蚀刻法、“stain-etch”型方法和“MAC-Etch”型方法的方法实现。[0019]电化学蚀刻法可以是电化学阳极化法。其实施要求使用含有在水溶液中或与1至1〇%浓度的乙醇混合的氢氟酸的电化学浴。电流和电极对创造造成硅蚀刻的电化学条件是必要的。根据电化学条件，可以获得各种类型的孔。这样的方法是本领域技术人员已知的并且在此不需要详细信息。[0〇2〇]“stain-etch”型方法基于娃的湿蚀刻，直接导致形成多孔娃。通常，用HF:HN〇3比为50500:1的HFHN03H20溶液进行蚀刻。这一方法具有在该浴中不需要供电的优点。这样的方法是本领域技术人员已知的并且在此不需要详细信息。[0021]步骤a优选通过“MAC-Etch”型方法实现。这种方法基于使用贵金属的粒子以催化局部化学蚀刻反应。通常，沉积贵金属金、银、钼的极薄层10-50纳米并以无规方式或通过剥离、蚀刻、激光等结构化。贵金属优选是金。更特别地，可以有利地使用在HFH2〇2混合物中的金粒子溶液。粒子的尺寸可以为5至1，000纳米。可以通过金的光刻、蚀刻或剥离获得结构化。另一选项是蒸发或阴极雾化溅射极细非封闭层5-30纳米。热处理有助于形成金的小岛。[〇〇22]在将具有贵金属层的硅浸在HFH202混合物的水溶液中时，贵金属局部催化硅的溶解。这一蚀刻溶液通常可包含4ml:lml:8ml48%HF:30%H2〇2:H20至4ml:lml:40ml48%HF:30%H202:H20。优选在金属下方产生硅的溶解，该金属随后逐渐渗入硅中。这一反应可根据基本受硅晶体的取向、表面布置、掺杂和浴的化学性影响的传播模式在大深度1〇〇微米上延续。“MAC-Etch”型方法的优点在于在浴中不需要供电，同时允许在硅中形成深度极大100微米的孔。因此特别适合使用SOI晶片作为通常用于制造钟表组件的基底。[0023] 本领域技术人员了解为使在硅基基底中形成的孔具有合适的几何和尺寸而实施上述方法的参数。[0024] 特别地，孔可有利地具有小于或等于100:1的纵横系数深度:直径比。特别地，当步骤b通过PVD沉积实现时，该硅基基底中的孔的纵横系数优选小于或等于4:1。当步骤b通过CVD或M0CVD沉积金属有机化学气相沉积实现时，该硅基基底中的孔的纵横系数优选小于或等于50:1。[〇〇25]优选地，孔可具有大于100微米，优选大于200微米，更优选大于300微米的深度。[0026]如图2中所示，在硅基基底1中在一定深度上形成孔2导致在相同深度上形成在孔2之间的硅基柱体3。优选地，在考虑硅基柱体具有圆形横截面时，孔2的形成应使硅基柱体3的投影表面小于表观总表面的79%以不使硅基柱体接触，所述接触会使该结构僵化这对应于渗流阈值。[0027] 本发明的方法的第二步骤b在于用选自金刚石、类金刚石碳DLC、氧化硅、氮化硅、陶瓷、聚合物及其混合物的材料完全填充在步骤a的过程中在硅基基底中形成的孔，以在所述孔中形成厚度至少等于所述孔的深度的所述材料的层。[0028] 该第二步骤b直接在步骤a后进行而没有任何中间步骤，因此沉积在孔中的材料与所述孔的壁直接接触。[〇〇29]步骤b优选通过选自薄膜沉积法，如化学气相沉积CVD、物理气相沉积PVD、薄原子层沉积ALD和热氧化法的方法实现。这些方法是本领域技术人员已知的并且在此不需要详细信息。但是可以规定，对于PVD的沉积，沉积速率优选为0.1至5nms。对于通过CVD或M0CVD的沉积，沉积速率优选为0.01至lOnms。对于通过ALD的沉积，沉积速率为例如0.0lnms。此外，热氧化特别有利于降低硅基底中的硅比例，硅通过生长以层厚度的大约50%的比率消耗。因此，本领域技术人员可以确定为使100%的硅被Si02替代而需要在硅基底中形成的孔的尺寸，由此在极短时间间隔内形成极厚Si02层。[0030] 有利地，本发明的方法在步骤b后包括步骤c:在基底的表面和用所述材料填充的孔的表面上形成所述材料的表面层。更特别地，该表面层可以这样获得:通过延长根据步骤b的材料沉积从而不仅用所述材料完全填充孔2还随后在用所述材料填充的孔2上以及在柱体3上沉积所述材料以形成厚度hO的所述材料的完整层4,如图3中所示。由此获得包含柱体3、用所述材料填充的孔2和完整层4的厚度hi的复合层。因此，hOhl的比率可以例如为10%左右。[0031] 因此，本发明的方法能够获得包含基于沉积的硅材料的厚复合层或甚至沉积材料的厚层在所有的硅被替代时的微机械钟表部件。[0032] 在步骤a的过程中由基底的表面开始形成孔能够产生大波纹以产生远大于无孔的初始表面的实际表面。本领域技术人员可以选择孔的几何以及材料在孔中的沉积时间，从而在与在平面上沉积相比大幅降低的时间内在硅表面上制造厚层。更特别地，本领域技术人员可以选择孔的几何和尺寸从而:[0033] -在该材料的沉积过程中获得孔的完全填充，[〇〇34]-促进气体的流动[0035]-获得沉积的材料的层与硅孔之间的所需体积比。如果必要，可以例如制造具有大于90%的孔隙率的多孔硅。[〇〇36]例如对于某些沉积法，如CVD和PVD，使沉积速率倾斜以在孔底部较慢。因此可以提供圆锥形孔在表面比在深处宽以补偿与气体流速相关的该现象。[0037] 因此，在孔中的气体供应充足的情况下，本发明的方法可以在与获得对应于表面层4的厚度h0的完整材料层所需的时间类似的沉积时间内获得以厚度hi沉积的硅材料复合层。[0038] 通过经CVD形成金刚石厚层，本发明的方法可有利地用于制造基于硅的擒纵机构的组件，如擒纵轮和擒纵棘爪。[〇〇39]如果使用热氧化法沉积Si02,则通过形成几乎固体的Si02厚层，本发明的方法同样可用于制造基于硅的擒纵机构的组件。[0040]通过将其与由多孔硅制成的区域的结构化相结合，本发明的方法同样可用于在硅中深入地快速制造大厚度的局部层。

权利要求：1.由硅基基底1制造微机械钟表部件的方法，其依序包括步骤:a 在所述硅基基底1的表面的至少一个部分的表面上形成确定深度的孔2，b 用选自金刚石、类金刚石碳DLC、氧化硅、氮化硅、陶瓷、聚合物及其混合物的材料完全填充所述孔2，以在孔2中形成厚度至少等于孔2的深度的所述材料的层。2.根据权利要求1的方法，其在步骤b后包括步骤c:在硅基基底1的表面和用所述材料填充的孔2的表面上形成所述材料的表面层4。3.根据权利要求1的方法，其中步骤a通过选自电化学蚀刻法、“Stain-etch”型方法和“MAC-Etch”型方法的方法实现。4.根据权利要求3的方法，其中步骤a通过“MAC-Etch”型方法实现。5.根据权利要求1的方法，其中步骤b通过选自薄膜沉积法和热氧化法的方法实现。6.根据权利要求1的方法，其中所述孔具有小于或等于100:1的纵横系数深度:直径比。7.根据权利要求1的方法，其中所述孔2具有大于100微米的深度。8.根据权利要求7的方法，其中所述孔2具有大于200微米的深度。9.根据权利要求8的方法，其中所述孔2具有大于300微米的深度。10.根据权利要求1的方法，其中硅基基底1是硅晶片或SOI晶片绝缘体上的硅。11.能够通过根据权利要求1至10任一项的方法获得的机械钟表部件。12.微机械钟表部件，包含硅基基底1，其在所述硅基基底1的表面的至少一个部分的表面上具有确定深度的孔2，所述孔2被选自金刚石、类金刚石碳DLC、氧化硅、氮化硅、陶瓷、聚合物及其混合物的材料的层完全填充，该层的厚度至少等于孔2的深度。13.根据权利要求12的微机械钟表部件，其特征在于其包含在硅基基底1的表面和用所述材料填充的孔2的表面上的所述材料的表面层。

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