申请/专利权人：杭州广立微电子有限公司

申请日：2019-12-17

公开（公告）日：2020-08-25

公开（公告）号：CN211350637U

主分类号：H01L23/544(20060101)

分类号：H01L23/544(20060101);H01L21/66(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.08.25#授权

摘要：本实用新型提供一种应用于FinFET工艺中，利用电性测试来有效监控EPI大小的测试结构，该测试结构包括FinFET中至少两根依次相邻的鳍Fin，第一根鳍和或最后一根鳍上取两个连接点以连接到各自的焊盘；所述鳍上横跨有至少两根依次相邻的栅极GT，对于处于中间的每根栅极，在第一根鳍或者最后一根鳍上分别设置有连接结构，所述连接结构用于连接该鳍上被该栅极隔断的两侧，以形成蛇形线的应用于FinFET工艺中监控EPI的测试结构。

主权项：1.一种应用于FinFET工艺中监控EPI的测试结构，其特征在于，该测试结构包括FinFET中至少两根依次相邻的鳍Fin，第一根鳍和或最后一根鳍上取两个连接点以连接到各自的焊盘；所述鳍上横跨有至少两根依次相邻的栅极GT，对于处于中间的每根栅极，在第一根鳍或者最后一根鳍上分别设置有连接结构，所述连接结构用于连接该鳍上被该栅极隔断的两侧，以形成蛇形线的应用于FinFET工艺中监控EPI的测试结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 杭州广立微电子有限公司 应用于FinFET工艺中监控EPI的测试结构

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