申请/专利权人：三星显示有限公司;东友精细化工有限公司

申请日：2017-07-26

公开（公告）日：2020-09-15

公开（公告）号：CN107653451B

主分类号：C23F1/16(20060101)

分类号：C23F1/16(20060101);C23F1/02(20060101)

优先权：["20160726 KR 10-2016-0094823"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.09.15#授权;2018.03.06#实质审查的生效;2018.02.02#公开

摘要：本发明涉及一种蚀刻液组合物及利用到该组合物的金属图案的制造方法。所述蚀刻液组合物包含：过氧化氢；含氟化合物；唑系化合物；含羧基胺系化合物；磷酸系化合物；被C1‑C5烷基所取代或未被取代的丙二醇或者被C1‑C5烷基所取代或未被取代的丁二醇；以及水。

主权项：1.一种蚀刻液组合物，包含：过氧化氢；含氟化合物；唑系化合物；含羧基胺系化合物；磷酸系化合物；被C1-C5烷基所取代或未被取代的丙二醇或者被C1-C5烷基所取代或未被取代的丁二醇；以及水，其中，所述磷酸系化合物包括：H3PO2、H3PO3、H3PO4或者其任意的组合，以所述蚀刻液组合物100重量％为基准，所述过氧化氢的含量范围为15重量％至25重量％；所述含氟化合物的含量范围为0.01重量％至5重量％；所述唑系化合物的含量范围为0.1重量％至5重量％；所述含羧基胺系化合物的含量范围为0.5重量％至5重量％；所述磷酸系化合物的含量范围为0.3重量％至5重量％；被所述C1-C5烷基所取代或未被取代的丙二醇、或者被C1-C5烷基所取代或未被取代的丁二醇的含量范围为0.001重量％至5重量％。

全文数据：蚀刻液组合物及利用到该组合物的金属图案制造方法技术领域[0001]本发明涉及一种蚀刻液组合物及利用到该组合物的金属图案制造方法。背景技术[0002]通常，薄膜晶体管显示板ThinFirmTransistor;TFT在液晶显示装置或有机电致发光ElectroLuminescence;EL显示装置等中被用作独立驱动各个像素的电路基板。薄膜晶体管显示板形成有用于传递扫描信号的扫描信号布线或栅极布线、以及用于传递图像信号的图像信号线或数据布线，并由连接于栅极布线及数据布线的薄膜晶体管、以及连接于薄膜晶体管的像素电极等构成。[0003]在制造这样的薄膜晶体管显示板时，在基板上层叠栅极布线及数据布线用金属层，其后续执行用于蚀刻这些金属层的过程。[0004]近来，为了实现伴随显示面板的大面积化而至的图像稳定化，栅极布线由导电率特性优良的TiCu构成，以利于具备迅捷的响应速度。在形成栅极布线之后，为了使层叠于上部的层不具有缺陷，栅极布线的末端需要呈现出徐缓形态的锥角。而且，为了改善工艺中的效率并节省工艺成本，要求蚀刻液组合物的特性能够维持较长的时间。发明内容[0005]本发明所要解决的技术问题在于提供一种既具备优良的发热稳定性又能够长期反复使用的蚀刻液组合物及利用到该组合物的金属图案的制造方法。[0006]根据一方面，提供一种蚀刻液组合物，其包含：过氧化氢；含氟化合物；唑系化合物;含羧基胺系化合物;磷酸系化合物;被^_：5烷基所取代或未被取代的丙二醇或者被C1-C5烷基所取代或未被取代的丁二醇；以及水。[0007]根据另一方面，提供一种金属图案的制造方法，包括如下步骤:在基板上形成金属膜;在所述金属膜上形成光致抗蚀图案；以及将所述光致抗蚀图案用作掩膜而使如上所述的蚀刻液组合物接触到所述金属膜，从而将金属膜蚀刻。[0008]对于所述蚀刻液组合物而言，即使处理枚数累积也不会发生发热反应，因此表现出优良的发热稳定性。[0009]并且，对于所述蚀刻液组合物而言，即使处理枚数累积或者在制造后存放预定日数，也可以维持新液的特性，因此所述蚀刻液组合物可被长期反复使用。[0010]进而，可利用所述蚀刻液组合物而制造金属图案，从而节省工艺成本。附图说明[0011]图1至图3为用于说明根据本发明的一实施例的金属图案的形成方法的剖面图。[0012]图4a是表示铜浓度为Oppm的条件下的制造例2的蚀刻液组合物的蚀刻轮廓的SEM照片。[0013]图4b是表示铜浓度为7000ppm的条件下的制造例2的蚀刻液组合物的蚀刻轮廓的SEM照片。[0014]图5a是表示铜浓度为Oppm的条件下的制造例2的蚀刻液组合物被存放7天之后的蚀刻轮廓的SEM照片。[0015]图5b是表示铜浓度为Oppm的条件下的制造例2的蚀刻液组合物被存放14天之后的蚀刻轮廓的SEM照片。[0016]符号说明[0017]110:基板122:钛合金膜[0018]124:铜膜130:光致抗蚀图案[0019]ML:金属膜MP:金属图案具体实施方式[0020]本发明可被加以多样的变形，并可具有多种实施例，特定实施例被示例性地图示于附图中，并在下文中进行详细的说明。本发明的效果及特征、以及用于实现目的的方法只要参考与附图相结合的后述的实施例就可明确理解。然而，本发明并不局限于以下公开的实施例，其可以由多样的形态实现。[0021]本说明书中，“包括”或“具有”等术语仅表示说明书中记载的特征或构成要素的存在性，并非意图预先排除一个以上的其他特征或构成要素的可附加性。[0022]本说明书中，当提到一个膜、区域、构成要素等部分位于其他部分上方或上面时，不仅包括紧邻着位于其他部分的上方的情形，而且还包括在中间夹设有其他膜、区域、构成要素等的情形。[0023]附图中，为了便于说明而可能放大或缩小示出构成要素的大小。例如，附图中示出的各个构成要素的大小及厚度被任意图示以便于说明，本发明并不局限于图示的情形。[0024]以下，对基于本发明的实现例的蚀刻液组合物及利用到该组合物的金属图案制造方法进行详细说明。[0025]根据本发明的一实现例的蚀刻液组合物包含：过氧化氢；含氟化合物；唑系化合物;含羧基胺系化合物;磷酸系化合物;被Ci-C5烷基所取代或未被取代的丙二醇、或者被_C5烷基所取代或未被取代的丁二醇；以及水。[0026]根据一实现例，所述蚀刻液组合物可将金属膜蚀刻。所述金属膜可包括:铜系金属膜、钼系金属膜、钛系金属膜或者其任意的组合。[0027]所述蚀刻液组合物中的过氧化氢可作为接触到所述金属膜而对蚀刻直接给予影响的主氧化剂而发挥作用。[0028]所述过氧化氢可以以足以蚀刻所述金属膜的程度而被使用。例如，所述过氧化氢的含量可如下：以所述蚀刻液组合物100重量％为基准，被包含15重量％至25重量％。具体而言，可在18重量％至23重量％的范围内，然而并不局限于此。[0029]如果包含的所述过氧化氢达不到上述范围，则对所述金属膜的蚀刻力不足，从而可能无法实现充足的蚀刻，而如果含量超过上述范围，则随着铜离子的增加而使发热稳定性显著地降低。[0030]在所述蚀刻液组合物中，含氟化合物作为对所述金属膜的蚀刻速度产生影响的辅助氧化剂而发挥作用。[0031]所述含氟化合物表示可在水中解离而释放F离子的化合物。例如，所述氟化合物可包括:HF、NaF、NH4F、NH4BF4、NH4FHF、KF、KHF2、AIF3、HBF4或者其任意的组合。作为另一例，所述氟化合物可包括NH4FHF。[0032]所述含氟化合物可以以足以调节所述金属膜的蚀刻速度的程度而被使用。例如，所述含氟化合物的含量可如下：以所述蚀刻液组合物100重量％为基准，所述含氟化合物的含量在0.01重量％至5重量％范围内。具体而言，可在0.1重量％至3重量％的范围内，然而并不局限于此。[0033]如果所述含氟化合物的含量小于上述范围，则导致蚀刻速度变慢，而如果含量超过上述范围，则随着蚀刻速度的全面加快，将会出现边蚀Undercut现象或下部层的损坏现象。[0034]所述蚀刻液组合物中，唑系化合物通过调节所述金属膜的蚀刻速度，并减少图案的⑶损失，从而起到提高工艺效益的作用。[0035]所述唑系化合物只要是本技术领域中可用的化合物即可，并不特别受限。例如，所述唑系化合物可包括：吡咯（pyrrole系化合物、吡唑（pyrazol系化合物、咪唑imidazole系化合物、三卩坐（triazole系化合物、四卩坐（tetrazole系化合物、五挫pentazole系化合物、恶卩坐（oxazole系化合物、异恶卩坐（isoxazole系化合物、噻挫thiazole系化合物、异噻卩坐（isothiazole系化合物或者其任意的组合。然而，并不局限于此。[0036]所述唑系化合物表示被取代或未被取代的唑类化合物。被取代的唑类化合物表示被选自如下基团中的取代基所取代的唑类化合物:重氢、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、亚肼基hydrazono、C1-C6q烷基、C2-C6q烯基、C2-C6q炔基、C1-C6q烷氧基、C3_ClQ环烧基、Cl-ClQ杂环烧基、C3_ClQ环稀基、Cl-ClQ杂环稀基、C6-C6Q芳基、C6-C6Q芳氧基、C6_C6〇芳硫基、C1-C6Q杂芳基、1价非芳香族缩合多环基团（monovalentnon-aromaticcondensedpolycyclicgroup、1价非芳香族杂缩合多环基团（monovalentnon-aromaticcondensedheteropolycyclicgroup〇[0037]在一实现例中，所述卩坐系化合物可包括四卩坐（tetrazole系化合物。例如，所述挫系化合物可包括被烷基或氨基所取代的四唑。作为另一例，所述唑系化合物可包括5-甲基四唑、5-氨基四唑或者其任意的组合，然而并不局限于此。[0038]所述唑系化合物的含量可如下：以所述蚀刻液组合物100重量％为基准，在0.1重量％至5重量％的范围内。具体而言，含量可在0.3重量％至1.5重量％的范围内。然而，并不局限于此。[0039]如果所述唑系化合物含量小于上述范围，则金属膜的蚀刻速度加快，从而可能产生显著的CD损失，而如果含量超过上述范围，则随着金属膜的蚀刻速率变慢，可能发生工时损失。[0040]所述蚀刻液组合物中，含羧基胺系化合物起到如下作用:使蚀刻液组合物被存放时可能发生的过氧化氢的自分解反应速率降低，从而有助于存放期间及稳定性的确保，并在重复蚀刻工艺时，防止蚀刻特性改变。[0041]所述含羧基胺系化合物表示在一个分子内同时具有氮⑼原子和羧基的水溶性化合物。例如，所述含羧基胺系化合物可包括:丙氨酸alanine、氨基丁酸aminobutyricacid、谷氨酸glutamicacid、甘氨酸glycine、亚氨基二乙酸（iminodiaceticacid、次氮基三乙酸（nitrilotriaceticacid、肌氨酸（sarcosine、乙二胺四乙酸ethylenediaminetetraaceticacid或者其任意的组合。作为另一例，所述含羧基胺系化合物可包括亚氨基二乙酸（iminodiaceticacid。然而，并不局限于此。[0042]所述含羧基胺系化合物的含量可如下：以所述蚀刻液组合物100重量％为基准，在0.5重量％至5重量％的范围内。具体而言，可以在1重量％至3重量％的范围内。[0043]如果所述含羧基胺系化合物含量小于上述范围，则在经过多个蚀刻工序之后，形成钝化passivation膜而被氧化，于是难以获得足够的工艺效益，而如果含量超过上述范围，则随着蚀刻速率的变慢，可能出现工时损失。[0044]所述蚀刻液组合物中，磷酸系化合物通过调节pH而增加蚀刻速率，并起到减少过氧化氢的分解反应的作用。[0045]所述磷酸系化合物可包括H3PO2、H3PO3、H3PO4或者其任意的组合。例如，所述磷酸系化合物可包括H3PO3,然而并不局限于此。[0046]所述磷酸系化合物的含量可如下：以所述蚀刻液组合物100重量％为基准，在0.3重量％至5重量％的范围内。具体而言，可在0.5重量％至3重量％的范围内。然而，并不局限于此。[0047]如果所述磷酸系化合物含量小于上述范围，则pH无法充分降低，从而使蚀刻速率变慢，并随着蚀刻液中的金属离子浓度的增加，可能发生发热反应。另外，如果含量超过上述范围，则随着蚀刻速率加快，可能发生CD损失。[0048]所述蚀刻液组合物中，被C1-C5烷基所取代或未被取代的丙二醇、或者被-：5烷基所取代或未被取代的丁二醇起到通过降低表面张力而使蚀刻的均匀性增加的作用。而且，被^-：5烷基所取代或未被取代的丙二醇、或者被^-：5烷基所取代或未被取代的丁二醇起到如下作用：在将金属膜蚀刻之后将包含于蚀刻液的金属离子包围，从而抑制金属离子的活动度，由此抑制过氧化氢的分解反应。通过降低所述金属离子的活动度，即使长期反复使用蚀刻液也能够稳定地执行工序。进而，被所述C1-C5烷基所取代或未被取代的丙二醇、或者被-：5烷基所取代或未被取代的丁二醇可控制蚀刻液组合物的发热反应，从而有助于发热的稳定性。[0049]所述被C1-C5烷基所取代或未被取代的丙二醇可包括1，3_丙二醇，所述被-：5烷基所取代或未被取代的丁二醇可包括1，4_丁二醇，然而并不局限于此。[0050]所述被C1-C5烷基所取代或未被取代的丙二醇、或者被^-：5烷基所取代或未被取代的丁二醇的含量可如下：以所述蚀刻液组合物100重量％为基准，可在0.001重量％至5重量％的范围内。具体而言，可在0.1重量％至3重量％的范围内。然而，并不局限于此。[0051]如果所述被C1-C5烷基所取代或未被取代的丙二醇、或者被^-：5烷基所取代或未被取代的丁二醇含量小于上述范围，则蚀刻的均匀性降低，并随着过氧化氢的分解反应的加速化而可能发生发热反应。另外，如果含量超过上述范围，则可能产生大量的泡沫，并在蚀刻之后产生有机性异物。[0052]除了包含如上所述的成分，所述蚀刻液组合物还可以包含添加剂。作为所述添加剂，有金属离子封固剂、防腐剂等。[0053]所述蚀刻液组合物除了包含如上所述的成分，还可以相对于所述蚀刻液组合物100重量％而包含残余份量的水。所述水可以是最大限度地减少了杂质的去离子水deionizedwater或超纯水（ultrapurewater。[0054]例如，所述水的电阻率值可以是18MΩcm左右。作为另一例，所述水的电阻率值可以在16ΜΩcm至20ΜΩcm范围内。[0055]如上所述的蚀刻液组合物的组成成分或者组成成分含量的任意组合可被允许应用。[0056]例如，所述蚀刻液组合物可包括:过氧化氢;含氟化合物;唑系化合物;含羧基胺系化合物;磷酸系化合物;被^-：5烷基所取代或未被取代的丙二醇、或者被^-：5烷基所取代或未被取代的丁二醇；以及残余份量的水。其中，以所述蚀刻液组合物100重量％为基准，所述过氧化氢的含量可以在15重量％至25重量％的范围内；所述含氟化合物的含量可以在0.01重量％至5重量％的范围内；所述卩坐系化合物的含量可以在0.1重量％至5重量％的范围内；所述含羧基胺系化合物的含量可以在0.5重量％至5重量％的范围内；所述磷酸系化合物的含量可以在〇.3重量％至5重量％的范围内；所述被C1-C5烷基所取代或未被取代的丙二醇或者被C1-C5烷基所取代或未被取代的丁二醇的含量可以在0.001重量％至5重量％的范围内。然而，并不局限于此。[0057]作为另一例，所述蚀刻液组合物包括:过氧化氢;含氟化合物;唑系化合物;含羧基胺系化合物;磷酸系化合物;被^-：5烷基所取代或未被取代的丙二醇、或者被^-：5烷基所取代或未被取代的丁二醇；以及残余份量的水。其中，以所述蚀刻液组合物100重量％为基准，所述过氧化氢的含量可以在18重量％至23重量％范围内；所述含氟化合物的含量可以在0.1重量％至3重量％的范围内；所述唑系化合物的含量可以在0.3重量％至1.5重量％的范围内；所述含羧基胺系化合物的含量可以在1重量％至3重量％的范围内；所述磷酸系化合物的含量可以在〇.5重量％至3重量％的范围内；所述被C1-C5烷基所取代或未被取代的丙二醇、或者被_：5烷基所取代或未被取代的丁二醇的含量可以在0.1重量％至3重量％的范围内。然而，并不局限于此。[0058]所述蚀刻液组合物可通过现有的公知方法而制造。所述蚀刻液组合物优选具备半导体工艺用的纯度。[0059]例如，通过以令如上所述的成分的总重量成为100重量％的方式混合如下的物质，可制造出所述蚀刻液组合物:过氧化氢;含氟化合物;唑系化合物;含羧基胺系化合物;磷酸系化合物;被_：5烷基所取代或未被取代的丙二醇、或者被-：5烷基所取代或未被取代的丁二醇；以及水。并且，所述蚀刻液组合物可在不影响其性能的范围内包含其他任意的成分。只要没有不期望的反应或生成沉淀等特殊的问题，则可按照任意的顺序混合所述成分，并可在预混合任意两种成分之后混合其余成分，或者将所述成分同时混合。[0060]根据一实现例，所述蚀刻液组合物可将包括铜系金属膜、钼系金属膜、钛系金属膜或者其任意的组合的单一膜或多层膜进行蚀刻。[0061]所述铜系金属膜作为在膜的组成成分中包含有铜的金属膜，可包括铜膜、铜氮化膜、铜氧化膜、铜合金膜或者其任意的组合。所述铜合金膜可以是由包含锰、镁、锌、镍或者其任意的组合以及铜的合金构成的膜。[0062]所述钼系金属膜作为在膜的组成成分中包含有钼的金属膜，可包括钼膜、钼氮化膜、钼氧化膜、钼合金膜或者其任意的组合。所述钼合金膜可以是由包含钛Ti、铌Nb、钨W或者其任意的组合以及钼的合金构成的膜。[0063]所述钛系金属膜作为在膜的组成成分中包含有钛的金属膜，可包括钛膜、钛氮化膜、钛氧化膜、钛合金膜或者其任意的组合。所述钛合金膜可以是由包含镍、锆、钼或者其任意的组合以及钛的合金构成的膜。[0064]所述多层膜作为包含一个以上的膜的膜，可包括二重膜、三重膜等。[0065]例如，所述蚀刻液组合物可以蚀刻金属膜，所述金属膜可包括包含有铜系金属膜的单一膜，或者包括包含有铜系金属膜、钼系金属膜、钛系金属膜或者其任意的组合的二重膜或三重膜，然而并不局限于此。[0066]作为所述多层膜的示例，可包括铜膜钼膜、铜膜钼合金膜、铜合金膜钼合金膜、铜膜钛膜等。[0067]所述单一膜或多层膜可具有范围内的厚度，然而并不局限于此。例如，所述单一膜或多层膜可具有范围内的厚度，然而并不局限于此。[0068]以下，对根据本发明的另一实现例的金属图案制造方法进行说明。[0069]以下，参考附图所示的实施例而详细说明本发明的构成及作用。以下，虽然列举如下实施例而说明本发明，但是本发明并不仅限定于下述实施例。[0070]图1至图3是用于说明根据本发明的一实施例的金属图案形成方法的剖面图。[0071]所述金属图案MP制造方法可包括如下步骤:在基板110上形成金属膜ML;在所述金属膜ML上形成光致抗蚀图案130;将所述光致抗蚀图案130用作掩膜而使所述蚀刻液组合物接触到所述金属膜，从而蚀刻所述金属膜ML。[0072]参考图1，在基板110上形成金属膜ML。关于所述金属膜的详细说明参考本说明书中所述的内容。对于图1至图3而言，示例性地示出所述金属膜是包括钛合金膜122和铜膜124的二重膜的情形。[0073]基板110可以是包括氧化硅（SiOx的玻璃基板。钛合金膜122和铜膜124可分别利用化学气相沉积法而在所述基板110上连续形成。钛合金膜122发挥缓冲层的作用以防止铜膜124的铜扩散至与铜膜124接触的图案，尤其防止扩散至金属氧化物半导体扩散而使所述图案受损。或者，当在钛合金膜122与基板110之间形成有包括氧化硅的图案或薄膜时，钛合金膜122可以抑制所述图案或薄膜与铜膜124之间的化学反应。虽然在图中没有图示，然而在钛合金膜122的下部可形成有多个图案。[0074]铜膜124形成于钛合金膜122上，当通过对所述金属膜ML实施图案化而形成的金属图案MP参见图3施加信号时，铜膜124可成为实质上施加所述信号的主布线层mainlinelayer。铜膜124可以是杂质的含量相对铜的含量极少的实质上的纯铜膜。[0075]参考图2和图3,在金属膜ML上形成光致抗蚀图案130,并将光致抗蚀图案130用作掩膜而使所述蚀刻液组合物接触到所述金属膜ML，从而将金属膜ML蚀刻。[0076]关于所述蚀刻液组合物的详细说明参考本说明书所述内容。[0077]借助于所述蚀刻液组合物，随着时间的经过，可以使金属膜ML被蚀刻而形成金属图案MP。[0078]例如，所述金属图案MP可包括金属布线、TFT的栅电极、TFT的源电极及漏电极、或者其任意的组合，然而并不局限于此。[0079]所述光致抗蚀图案130可利用正性光致抗蚀剂组合物而形成。与之不同，所述光致抗蚀图案130可利用负性光致抗蚀剂组合物而形成。[0080]所述金属膜ML的蚀刻可根据业界公知的方法执行，例如，可通过浸泡法、喷射法等而将所述蚀刻液组合物提供给所述金属膜ML，从而蚀刻所述金属膜ML。[0081]再次参考图3,当利用所述蚀刻液组合物而蚀刻金属膜ML时，金属膜ML中的布置于上部的铜膜124最先被蚀刻。在铜膜124中，形成有光致抗蚀图案130的部分不会暴露于所述蚀刻液组合物，因此不会被所述蚀刻液组合物所蚀刻，而残留在所述基板110上。[0082]随着金属膜ML暴露于所述蚀刻液组合物的时间的经过，因铜膜124的去除而暴露的钛合金膜122被蚀刻，从而形成金属图案MP。此时，利用到所述蚀刻液组合物的湿式蚀刻的特性决定了在所述钛合金膜122被蚀刻的时段内，铜膜124可能得到进一步局部蚀刻。[0083]金属图案MP的锥角（taperangle9以所述基板110的表面为基准而得到测量，斜长skewlengthX则被定义为金属图案MP的侧部与光致抗蚀图案130的侧部之间的距离。[0084]根据另一实现例，提供一种液晶显示装置用阵列基板的制造方法，包括如下步骤：在基板上形成栅电极;在包含所述栅电极的基板上形成栅绝缘层;在所述栅绝缘层上形成半导体层;在所述半导体层上形成源电极和漏电极；以及形成连接于所述漏电极的像素电极。其中，所述制造方法还可以包括如下步骤:将所述光致抗蚀图案用作掩膜而使所述蚀刻液组合物接触到所述金属膜，从而将金属膜蚀刻而形成栅电极;将所述光致抗蚀图案用作掩膜而使所述蚀刻液组合物接触到所述金属膜，从而将金属膜蚀刻而形成源电极和漏电极。[0085]以下，通过实施例而更加详细地说明本发明。然而，如下所述的实施例仅用于更为具体地说明本发明，本发明的范围并不被如下的实施例所限定。[0086]实施例[0087]实施例1至3及比较例1至5的蚀刻液组合物的制造[0088]以如同下列表1所示的方式制造了根据本发明的实施例1至实施例3的蚀刻液组合物和根据比较例1至比较例5的蚀刻液组合物。在表1中，表示各个成分的含量的单位是将蚀刻液组合物总重量作为100%的“重量％”。[0089][表1][0090][0091]ABF:氣化氢铵Ammoniumbifluoride[0092]5-MTZ:5-甲基四挫（5-methyltetrazole[0093]IDA:亚氨基二乙酸（Iminodiaceticaicd[0094]TEG:三甘醇（Triethyleneglycol[0095]评估例I:蚀刻液组合物的发热稳定性评估[0096]在根据本发明的实施例1至实施例3的蚀刻液组合物与根据比较例1至比较例5的蚀刻液组合物中分别添加了7000ppm的铜粉。将所述各个蚀刻液组合物搅拌1小时，然后置于35°C的恒温槽，并历时72小时而通过温度监控仪对蚀刻液的温度变化进行了观察。其结果示于表2。[0097][表2][0098][0099]表2中，所述最高温度表示如下的温度:在恒温槽中投入添加有7000ppm的铜粉的蚀刻液组合物，并在历时72小时的监测的过程中测量到的最高温度。所述发热反应发生时间表示如下的时间：发生所述蚀刻液组合物内的过氧化氢分解反应而沸腾溢出的时间点的时刻。所述发热反应时间的实施例1至3中，标记表示未发生发热反应，比较例2中的标记“0”表示在蚀刻液组合物中添加7000ppm的铜粉的过程中立即发生了发热反应。[0100]参考所述表2,对于实施例1至3而言，不同于比较例1至5,可确认到没有发生发热反应，据此，可以确认基于实施例1至3的蚀刻液组合物的发热稳定性优良。[0101]样品1的制造[0102]通过化学气相沉积法而在玻璃基板上形成了钛和钼的合金膜。接着，在所述钛和钼的合金膜上形成了铜膜。在所述铜膜上形成光致抗蚀层，并使所述光致抗蚀层曝光及显像，从而形成了光致抗蚀图案。[0103]将所述光致抗蚀图案用作掩膜，并利用“根据所述实施例2的蚀刻液组合物中未添加铜粉的蚀刻液组合物”（刚制造后而蚀刻所述铜膜，从而制造出包括金属图案的样品1。[0104]此时，对于所述铜膜，利用“根据所述实施例2的蚀刻液组合物中未添加铜粉的蚀刻液组合物”并以蚀刻终结点（etchingendpoint为基准而过盈蚀刻90%左右，从而制造出所述金属图案。[0105]样品2的制造[0106]在蚀刻铜膜时，取代“根据所述实施例2的蚀刻液组合物中未添加铜粉的蚀刻液组合物”而使用了“根据所述实施例2的蚀刻液组合物中添加有7000ppm的铜粉的蚀刻液组合物，”除此之外，利用与所述样品1的制造相同的方法制造出所述金属图案。[0107]样品3的制造[0108]在蚀刻铜膜时，取代“根据所述实施例2的蚀刻液组合物中未添加铜粉的蚀刻液组合物”而使用了“将根据所述实施例2的蚀刻液组合物中未添加铜粉的蚀刻液组合物存放7天之后的蚀刻液组合物，”除此之外，利用与所述样品1的制造相同的方法制造出所述金属图案。[0109]样品4的制造[0110]在蚀刻铜膜时，取代“根据所述实施例2的蚀刻液组合物中未添加铜粉的蚀刻液组合物”而使用了“将根据所述实施例2的蚀刻液组合物中未添加铜粉的蚀刻液组合物存放14天之后的蚀刻液组合物，”除此之外，利用与所述样品1的制造相同的方法制造出所述金属图案。[0111]评估例2:蚀刻液组合物的累积历时评估[0112]利用电子扫描显微镜（scanningelectronmicroscope;SEM拍摄了所述样品1及2的金属图案以及光致抗蚀图案的轮廓。为了了解到当铜离子累积时，蚀刻液组合物的特性是否维持，对样品1铜浓度Oppm和样品2铜浓度7000ppm的锥角维持与否、钛轨迹、斜长进行了评估。其结果示于图4a样品1、图4b样品2以及表3。[0113][表3][0114][0115]参考表3,根据实施例2的蚀刻液组合物在铜离子浓度为7000ppm的情况下，锥角、斜长及下部轨迹长度也表现出良好水平。[0116]评估例3:蚀刻液组合物的存放时间评估[0117]利用电子扫描显微镜（scanningelectronmicroscope;SEM而拍摄了所述样品1、2及3的金属图案以及光致抗蚀图案的轮廓。为了了解到在蚀刻液组合物制造之后，蚀刻液组合物的特性是否随着存放期间的经过而得以维持，对样品1铜浓度Oppm、存放期间0日）、样品3铜浓度Oppm、存放期间7天）以及样品4铜浓度Oppm、存放期间14天的锥角维持与否、钛轨迹、斜长进行了评估。其结果示于图4a样品1、图5a样品3、图5b样品4以及表4。[0118][表4][0119][0120]参考表4可确认:对于根据实施例2制造出的蚀刻液组合物而言，在经过14天的情况下，锥角、斜长及下部轨迹长度也表现出优良的水平。[0121]通过评估例1的蚀刻液组合物的发热稳定性评估而确认了所述蚀刻液组合物表现出优良的发热稳定性。通过评估例2的蚀刻液组合物累积历时评估及评估例3的蚀刻液组合物的存放时间评估，确认了可将所述蚀刻液组合物长期反复使用，由此可以减少工艺成本。[0122]以上，已通过说明书及其附图公开了最优实施例。在此使用了特定的术语，然而这只是出于说明本发明的目的而使用的术语，其并非旨在限定含义或者意图限制权利要求书所述的本发明的范围。因此，想必可以理解只要是本技术领域中具备基本知识的人员即可由此实现多样的变形及等价的其他实施例。因此，本发明的真正的技术保护范围应当根据权利要求书的技术思想而予确定。

权利要求：1.一种蚀刻液组合物，包含：过氧化氢；含氟化合物；唑系化合物；含羧基胺系化合物；磷酸系化合物；被-：5烷基所取代或未被取代的丙二醇或者被C1-C5烷基所取代或未被取代的丁二醇；以及水。2.如权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，以所述蚀刻液组合物100重量％为基准，所述过氧化氢的含量范围为15重量％至25重量％。3.如权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，所述含氟化合物包括：HF、NaF、NH4F、NH4BF4、NH4FHF、KF、KHF2、AlF3、HBF4或者其任意的组合。4.如权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，以所述蚀刻液组合物100重量％为基准，所述含氟化合物的含量范围为〇.01重量％至5重量％。5.如权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，所述唑系化合物包括：吡咯系化合物、吡唑系化合物、咪唑系化合物、三唑系化合物、四唑系化合物、五唑系化合物、恶唑系化合物、异恶唑系化合物、噻唑系化合物、异噻唑系化合物或者其任意的组合。6.如权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，所述唑系化合物包括被烷基或氨基所取代的四唑。7.如权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，以所述蚀刻液组合物100重量％为基准，所述挫系化合物的含量范围为0.1重量％至5重量％。8.如权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，所述含羧基胺系化合物包括：丙氨酸、氨基丁酸、谷氨酸、甘氨酸、亚氨基二乙酸、次氮基三乙酸、肌氨酸、乙二胺四乙酸或者其任意的组合。9.如权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，以所述蚀刻液组合物100重量％为基准，所述含羧基胺系化合物的含量范围为0.5重量％至5重量％。10.如权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，所述磷酸系化合物包括：H3PO2、H3PO3、H3P〇4或者其任意的组合。11.如权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，以所述蚀刻液组合物100重量％为基准，所述磷酸系化合物的含量范围为0.3重量％至5重量％。12.如权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，被所述-：5烷基所取代或未被取代的丙二醇包括1，3-丙二醇，被所述-：5烷基所取代或未被取代的丁二醇包括1，4-丁二醇。13.如权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，以所述蚀刻液组合物100重量％为基准，被所述C1-C5烷基所取代或未被取代的丙二醇、或者被-：5烷基所取代或未被取代的丁二醇的含量范围为0.001重量％至5重量％。14.如权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，以所述蚀刻液组合物100重量％为基准，所述过氧化氢的含量范围为15重量％至25重量％;所述含氟化合物的含量范围为0.01重量％至5重量％;所述卩坐系化合物的含量范围为0.1重量％至5重量％;所述含羧基胺系化合物的含量范围为0.5重量％至5重量％;所述磷酸系化合物的含量范围为0.3重量％至5重量％;被所述C1-C5烷基所取代或未被取代的丙二醇、或者被-：5烷基所取代或未被取代的丁二醇的含量范围为0.001重量％至5重量％。15.如权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，所述蚀刻液组合物用于蚀刻包括铜系金属膜、钼系金属膜、钛系金属膜或者其任意的组合的单一膜或多层膜。16.—种金属图案的制造方法，包括如下步骤：在基板上形成金属膜；在所述金属膜上形成光致抗蚀图案；以及将所述光致抗蚀图案用作掩膜而使权利要求1至15中的任意一项所述的蚀刻液组合物接触到所述金属膜，从而将金属膜蚀刻。17.如权利要求16所述的金属图案的制造方法，其中，所述金属膜包括：包含铜系金属膜、钼系金属膜、钛系金属膜或者其任意的组合的单一膜或多层膜。18.如权利要求16所述的金属图案的制造方法，其中，所述金属膜包括：单一膜，包含铜系金属膜;或者二重膜或三重膜，包含铜系金属膜、钼系金属膜、钛系金属膜或者其任意的组合。19.如权利要求16所述的金属图案的制造方法，其中，所述金属图案包括：金属布线、TFT的栅电极、TFT的源电极及漏电极或者其任意的组合。20.如权利要求16所述的金属图案的制造方法，其中，所述金属膜具有2000.Λ至100001范围内的厚度。

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