【发明公布】去耦电容器和布置_英特尔公司_202010877251.3 

申请/专利权人:英特尔公司

申请日:2014-06-27

发明/设计人:S·E·布-加扎利;R·T·埃尔赛义德;N·戈埃尔

公开(公告)日:2020-10-23

代理机构:永新专利商标代理有限公司

公开(公告)号:CN111816654A

代理人:张亚峰

主分类号:H01L27/06(20060101)

地址:美国加利福尼亚

分类号:H01L27/06(20060101);H01L27/07(20060101);H01L23/522(20060101);H01L49/02(20060101)

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2020.10.23#公开

摘要:本文公开了晶体管组件、集成电路器件和相关方法的各种实施例。在一些实施例中,晶体管组件可以包括:基底层,晶体管设置在所述基底层中;第一金属层;以及设置在基底层与第一金属层之间的第二金属层。晶体管组件还可以包括电容器,所述电容器包括其中具有沟道的导电材料的薄片,所述电容器设置在所述基底层或所述第二金属层中并耦合到所述晶体管的所述供电线。可以公开和或主张其它实施例。

主权项:1.一种晶体管组件,包括:基底层,在所述基底层中包括晶体管;第一金属层;第二金属层,其位于所述基底层与所述第一金属层之间;以及电容器,所述电容器包括其中具有沟道的导电材料的薄片,其中,所述电容器位于所述基底层或所述第二金属层中,其中,所述电容器基本上是平面的并具有通过所述沟道间隔开的交错的指状物,并且其中,所述交错的指状物包括形成第一电容器板的第一组交错的指状物和形成第二电容器板的第二组交错的指状物。

全文数据:

权利要求:

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