申请/专利权人：北京工业大学

申请日：2020-07-20

公开（公告）日：2020-11-24

公开（公告）号：CN111988016A

主分类号：H03H11/36(20060101)

分类号：H03H11/36(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.12.23#授权;2020.12.11#实质审查的生效;2020.11.24#公开

摘要：高频下大电感值高Q值且在同一频率下Q峰值可独立调节的有源电感涉及射频集成电路领域，包括：第一跨导单元1，带有电阻和电阻‑电容双重反馈的第二跨导单元2，带有一个偏压可调节端的电阻损耗抵消单元3，以及带有二个偏压可调节端的偏置单元4组成。其中，第一跨导单元1，一方面，与第二跨导单元一起构成第一阻抗转换回路，另一方面，与偏置单元4一起构成第二阻抗转换回路，且第一阻抗转换回路与第二阻抗转换回路并联，增大了电感值；电阻损耗抵消单元提高了Q值；通过联合协同调谐偏置单元中的两个偏压可调节端和电阻损耗抵消单元中的一个偏压可调节端的偏压，可实现对有源电感在同一高频下Q峰值的独立调谐。

主权项：1.高频下大电感值高Q值且在同一频率下Q峰值可独立调节的有源电感，其特征在于，包括：第一跨导单元1、带有电阻和电阻-电容双重反馈的第二跨导单元2、带有一个偏压可调节端的电阻损耗抵消单元3、带有二个偏压可调节端的偏置单元4；其中：所述有源电感电路中第一跨导单元1包括第一N型MOS晶体管Mn1；带有电阻和电阻-电容双重反馈的第二跨导单元2包括第二N型MOS晶体管Mn2、第三N型MOS晶体管Mn3、第一无源电阻R1、第二无源电阻R2、第一无源电容C1、第二无源电容C2；带有一个偏压可调节端的电阻损耗抵消单元3包括带有第二可调电压源Vtune2的第九N型MOS晶体管Mn9；带有二个偏压可调节端的偏置单元4包括第四P型MOS晶体管Mp4、第五P型MOS晶体管Mp5、第六N型MOS晶体管Mn6、第七N型MOS晶体管Mn7、带有第一可调电压源Vtune1的第八N型MOS晶体管Mn8、带有第三可调电压源Vtune3的第十P型MOS晶体管Mp10；其中：所述有源电感的输入端Vin同时连接第一N型MOS晶体管Mn1的源极、第三N型MOS晶体管Mn3的栅极、第六N型MOS晶体管Mn6的栅极以及第七N型MOS晶体管Mn7的栅极和漏极；第三N型MOS晶体管Mn3的漏极同时与第十P型MOS晶体管Mp10的漏极、第二N型MOS晶体管Mn2的源极、第二无源电容C2的第二端相连；第二N型MOS晶体管Mn2的栅极同时与第二无源电容C2的第一端、第二无源电阻R2的第二端相连；第二N型MOS晶体管Mn2的漏极同时与第五P型MOS晶体管Mp5的漏极、第九N型MOS晶体管Mn9的源极相连；第九N型MOS晶体管Mn9的栅极连接第二可调电压源Vtune2；第九N型MOS晶体管Mn9的漏极同时与第一N型MOS晶体管Mn1的栅极、第八N型MOS晶体管Mn8的漏极、第四P型MOS晶体管Mp4的栅极和漏极以及第五P型MOS晶体管Mp5的栅极相连；第八N型MOS晶体管Mn8的栅极连接第一可调电压源Vtune1；第八N型MOS晶体管Mn8的源极与第六N型MOS晶体管Mn6的漏极相连；第二无源电阻R2的第一端同时与第一无源电阻R1的第二端、第一无源电容C1的第二端相连；第十P型MOS晶体管Mp10的栅极连接第三可调电压源Vtune3；电源VDD同时连接第四P型MOS晶体管Mp4的源极、第五P型MOS晶体管Mp5的源极、第一N型MOS晶体管Mn1的漏极、第十P型MOS晶体管Mp10的源极、第一无源电阻R1的第一端以及第一无源电容C1的第一端；第三N型MOS晶体管Mn3的源极、第六N型MOS晶体管Mn6的源极、第七N型MOS晶体管Mn7的源极，均与地端GND相连。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京工业大学 高频下大电感值高Q值且在同一频率下Q峰值可独立调节的有源电感

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