申请/专利权人：朗姆研究公司

申请日：2019-03-01

公开（公告）日：2020-11-27

公开（公告）号：CN112005343A

主分类号：H01L21/285(20060101)

分类号：H01L21/285(20060101);H01L21/02(20060101);H01L21/324(20060101);H01L21/311(20060101)

优先权：["20180302 US 62/637,995"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.03.12#实质审查的生效;2020.11.27#公开

摘要：提供了用于相对于电介质表面在金属表面上选择性沉积金属氧化物的方法和设备。选择性沉积是通过以下方式来实现的：将金属和电介质表面暴露于能够与金属形成可水解键同时与电介质形成不可水解键的阻断剂，然后将其表面浸渍在水中以裂解可水解键，并在电介质表面上留下阻断表面，接着相对于电介质表面在金属表面上选择性地沉积金属氧化物。阻断剂通过湿式或干式技术沉积，并且可以包括例如烷基氨基硅烷或烷基氯硅烷。

主权项：1.一种在衬底上相对于介电材料在暴露的金属表面上选择性沉积金属氧化物的方法，所述方法包含：a提供包括所述介电材料和所述暴露的金属表面的所述衬底；b在沉积所述金属氧化物前，将所述衬底暴露于阻断剂，以将所述阻断剂非选择性地吸附在所述介电材料和所述暴露的金属表面两者上；c在将所述衬底暴露于所述阻断剂之后，且在沉积所述金属氧化物之前，将所述阻断剂从所述暴露的金属表面选择性地移除；以及d在所述衬底上相对于所述介电材料而在所述暴露的金属表面上选择性地沉积所述金属氧化物。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 朗姆研究公司 使用水解的选择性沉积

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