申请/专利权人：圆益IPS股份有限公司

申请日：2023-09-27

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117878054A

主分类号：H01L21/768

分类号：H01L21/768

优先权：["20221012 KR 10-2022-0130509"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：根据实施例的钨薄膜沉积方法包括：准备步骤，准备形成具有段差的图案的基板；第一沉积步骤，在所述图案上形成第一钨层；第一处理步骤，用含有卤素的第一工艺气体处理形成所述第一钨层的图案；第二处理步骤，在所述第一处理步骤之后，为了去除残留在所述图案内部的卤素残余，用含有氢或硼的第二工艺气体处理所述图案内部；第三处理步骤，在所述第二处理步骤之后，为了抑制将在所述图案上沉积的第二钨层的形成，用含有氮的第三工艺气体进行处理；及第二沉积步骤，在所述第三处理步骤之后，在所述图案上形成第二钨层。

主权项：1.一种钨薄膜沉积方法，其特征在于，包括：准备步骤，准备形成具有段差的图案的基板；第一沉积步骤，在所述图案上形成第一钨层；第一处理步骤，用含有卤素的第一工艺气体处理形成所述第一钨层的图案；第二处理步骤，在所述第一处理步骤之后，为了去除残留在所述图案内部的卤素残余，用含有氢或硼的第二工艺气体处理所述图案；第三处理步骤，在所述第二处理步骤之后，为了抑制将在所述图案上沉积的第二钨层的形成，用含有氮的第三工艺气体进行处理；以及第二沉积步骤，在所述第三处理步骤之后，在所述图案上形成第二钨层。

全文数据：

权利要求：

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