申请/专利权人：日本高纯度化学株式会社

申请日：2017-05-11

公开（公告）日：2020-11-27

公开（公告）号：CN109154093B

主分类号：C25D3/12(20060101)

分类号：C25D3/12(20060101)

优先权：["20160518 JP 2016-099184"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.11.27#授权;2019.01.29#实质审查的生效;2019.01.04#公开

摘要：本发明的课题在于提供一种电解镍合金镀覆液、使用该电解镍合金镀覆液的镍或镍合金镀覆充填方法、以及微小三维结构体的制造方法，其中，该电解镍合金镀覆液，在以镍或镍合金18充填电子电路零件内的微小孔洞或微小凹部14时，能以不会产生孔洞或缝隙等缺陷的方式来进行充填。并且，本发明通过使用含有特定的N取代羰基吡啶鎓化合物的电解镍合金镀覆液，来充填微小孔洞或微小凹部14，而解决上述课题。

主权项：1.一种电解镍镀覆液或电解镍合金镀覆液，含有：镍盐、pH缓冲剂、以及下述通式A所表示的N取代羰基吡啶鎓化合物； 通式A中，m为0或1；-R1为-R1a或-NR1bR1c，R1a为碳数1至6的烷基，R1b为氢原子或碳数1至6的烷基，R1c为氢原子、碳数1至6的烷基、或氨基-NH2；-R2为氢原子或碳数1至6的烃基；X-为任意的阴离子。

全文数据：电解镍合金镀覆液技术领域本发明涉及一种电解镍镀覆液或电解镍合金镀覆液以下，也有将此等总称为“电解镍合金镀覆液”的情形，更详而言之，涉及适于电子电路零件内的微小孔洞或微小凹部的镀覆充填用的电解镍合金镀覆液。另外，本发明还涉及使用该电解镍合金镀覆液的微小孔洞或微小凹部的镀覆充填方法、以及微小三维结构体的制造方法。背景技术以半导体或印刷基板为代表的电子电路零件，具有用以形成配线的通孔via、贯穿孔throughhole、深沟trench等微小孔洞或微小凹部。于以往层压多个电路基板以制造多层印刷基板时，是以交错通孔Staggeredvia结构为主流，所述交错通孔结构是将通孔的壁面进行保形conformal铜镀覆追随镀覆后，以交错的排列与其它层连接。然而，伴随着近年来的电子机器的小型化、高功能化，以铜镀覆来充填通孔并直接与其它层叠合使层间连接的堆栈通孔Stackedvia结构所致的省空间化已经成为必要且不可或缺的。通过电解铜镀覆来充填的技术也适合使用于半导体制造技术，被称为镶嵌制程damasceneprocess或硅穿孔电极TSV：ThroughSiliconVia的技术已登场，而能以电解铜镀覆来充填通孔而形成三维的配线结构。微小孔洞或微小凹部的充填用的电解铜镀覆液，含有多种添加剂，并通过将此等的浓度平衡控制为最佳状态而来充填通孔，但即使以使数μm左右的大孔洞macrovoid消失的方式而完成充填，仍有由于添加剂的副作用而残留nm等级的微孔洞microvoid的问题。铜为熔点并非很高的金属1083℃，已知于电解铜镀覆后放置于室温下也会发生再结晶。于此再结晶过程中，有nm等级的微孔洞会凝集而形成大孔洞的问题。例如，于非专利文献1记载，属于添加剂的聚乙二醇PEG的一部分渗入铜皮膜中，于铜皮膜中产生nm等级的微孔洞，于铜的再结晶的过程中，因放置于室温下，而形成直径达70nm的大孔洞。因此，在使用电解铜镀覆液的铜充填方法中，具有如此的潜在性的课题，于配线持续地更微细化时，因伴随着微孔洞凝集的孔洞void成长或孔洞移动，而使配线可靠性的降低有显著化之虞。因此，本发明人推测，即使残留有由镀覆添加剂所致的微孔洞，若能以室温下不易再结晶的高熔点金属，特别是一般作为电子零件的打底镀覆的镍熔点：1455℃，来充填微小孔洞或微小凹部，则可得到孔洞不易凝集的可靠性高的配线。目前已有在进行尝试以电解镍镀覆来充填凹部的研究。于非专利文献2，探讨于电解镍镀覆液中添加各种添加剂时的深沟内的充填性，其通过添加硫脲来充填微小凹部深沟。然而，依据本发明人等的追加试验后述的实施例可知，非专利文献2所记载的电解镍镀覆液的充填性并不足够而无法抑制孔洞的产生，另外，于析出物会产生裂痕，作为结构体为不良。电子电路的微细化正繁盛地进展中，于相关的周知技术中，微小孔洞、微小凹部的充填性并不充分，而期盼开发一种不会产生孔洞等缺陷或裂痕等的镍充填方法。[现有技术文献][非专利文献]非专利文献1：表面技术Vol.52,No.1,pp.34-382001非专利文献2：电子学实装学会志,Vol.17,No.2,pp.143-1482014。发明内容发明欲解决的课题本发明是有鉴于上述背景技术所完成的，其课题在于提供一种电解镍合金镀覆液，在以镍或镍合金来充填电子电路零件内的微小孔洞或微小凹部时，能以不会产生孔洞或缝隙等缺陷的方式来进行充填；并且，还提供使用该电解镍合金镀覆液的镍或镍合金镀覆充填方法、以及微小三维结构体的制造方法。解決课题的手段本发明人等为了解决上述课题而努力探讨，结果发现，通过使用含有特定的N取代羰基吡啶鎓化合物的电解镍合金镀覆液来进行电镀，即能以不产生孔洞等缺陷的方式来将镍充填于微小孔洞或微小凹部内，因而完成本发明。即，本发明提供一种电解镍镀覆液或电解镍合金镀覆液，含有：镍盐、pH缓冲剂、以及下述通式A所表示的N取代羰基吡啶鎓化合物；[通式A中，m为0或1；-R1为-R1a或-NR1bR1cR1a为碳数1至6的烷基；R1b为氢原子或碳数1至6的烷基；R1c为氢原子、碳数1至6的烷基、或氨基-NH2；-R2为氢原子或碳数1至6的烃基；X-为任意的阴离子]。另外，本发明还提供一种电解镍镀覆液或电解镍合金镀覆液，含有：镍盐、pH缓冲剂、以及下述通式B所表示的N取代羰基吡啶鎓化合物；[通式B中，m为0或1；-R1为-R1a或-NR1bR1cR1a为碳数1至6的烷基；R1b为氢原子或碳数1至6的烷基；R1c为氢原子、碳数1至6的烷基、或氨基-NH2。-R3为-R3a-SO3-R3a为碳数1至6的烷撑基]。另外，本发明还提供一种镍或镍合金镀覆充填方法，其中，对于在电子电路零件内所形成的微小孔洞或微小凹部的表面，事先施以电解镀覆用晶种层后，将该电子电路零件浸渍于上述电解镍镀覆液或电解镍合金镀覆液中，使用外部电源进行电解镀覆。另外，本发明还提供一种微小三维结构体的制造方法，包含：通过上述镍或镍合金镀覆充填方法对微小孔洞或微小凹部进行镀覆充填的步骤。[发明的效果]依据本发明，通过使用镍镀覆或镍合金镀覆，能以不产生孔洞或缝隙的方式来充填电子电路零件内的微小孔洞或微小凹部。另外，于本发明，能以熔点高且不易于室温下发生再结晶的镍来充填微小孔洞或微小凹部，故即使是配线更进一步微细化，也不易发生伴随着孔洞凝集的不良情形，而能广泛使用于微细化持续进展的三维配线形成或三维MEMSMicroElectroMechanicalSystems，微机电系统零件等。附图说明图1是显示实施例所使用的评价用印刷基板的被镀覆部周边的截面的示意图。图2是实施例所使用的评价用印刷基板的表面的配线图型的照片。图3是镀覆充填后的基板截面的显微镜照片实施例1。图4是镀覆充填后的基板截面的显微镜照片实施例2。图5是镀覆充填后的基板截面的显微镜照片实施例3。图6是镀覆充填后的基板截面的显微镜照片实施例4。图7是镀覆充填后的基板截面的显微镜照片比较例1。图8是镀覆充填后的基板截面的显微镜照片比较例2。图9是镀覆充填后的基板截面的显微镜照片比较例3。具体实施方式以下说明本发明，但本发明并不限定于以下的实施方式，可任意地改变形式来实施。＜电解镍合金镀覆液＞本发明的电解镍合金镀覆液以下，也有仅简称为“本发明的镀覆液”的情形含有：镍盐、pH缓冲剂、以及下述通式A或下述通式B所表示的N取代羰基吡啶鎓化合物；[通式A中，m为0或1。-R1为-R1a或-NR1bR1cR1a为碳数1至6的烷基；R1b为氢原子或碳数1至6的烷基；R1c为氢原子、碳数1至6的烷基、或氨基-NH2。-R2为氢原子或碳数1至6的烃基。X-为任意的阴离子][通式B中，m为0或1。-R1为-R1a或-NR1bR1cR1a为碳数1至6的烷基；R1b为氢原子或碳数1至6的烷基；R1c为氢原子、碳数1至6的烷基、或氨基-NH2。-R3为-R3a-SO3-R3a为碳数1至6的烷撑基]。本发明的镀覆液所含的镍盐，由水溶性及充填性的观点考虑，可举例如硫酸镍、氨磺酸镍、氯化镍、溴化镍、碳酸镍、硝酸镍、甲酸镍、乙酸镍、柠檬酸镍、氟硼酸镍等，但并不限定于此等。此等可单独使用1种，也可混合2种以上使用。上述镍盐的合计含量，以镍离子而言，优选为10gL以上180gL以下，特别优选为50gL以上130gL以下。于上述范围内，可使镍的析出速度变足够，另外，能以不产生孔洞的方式来充填微小孔洞或微小凹洞。本发明的镀覆液所含的pH缓冲剂，可举例如硼酸、偏硼酸、乙酸、酒石酸、柠檬酸、以及此等的盐，但并不限定于此等。此等可单独使用1种，也可混合2种以上使用。pH缓冲剂的含量，优选为1gL以上100gL以下，特别优选为5gL以上50gL以下。若为上述范围内，则不易阻碍上述通式A或通式B所表示的N取代羰基吡啶鎓化合物以下，也有称为“特定N取代羰基吡啶鎓化合物”的情形的作用，可保持本发明的效果。本发明的镀覆液含有特定N取代羰基吡啶鎓化合物。通过特定N取代羰基吡啶鎓化合物的作用，本发明的镀覆液能以不产生孔洞的方式来充填微小孔洞或微小凹洞。当上述通式A及上述通式B的R1a、R1b、R1c、R2为碳数1至6的烷基时，该R1a、R1b、R1c、R2的任一者，皆优选为可为不同的碳数1至4的烷基，更优选为碳数1至3的烷基，特别优选为碳数1或2的烷基。另外，当上述通式B的R3a为碳数1至6的烷撑基时，优选为碳数1至4的烷撑基，更优选为碳数1至3的烷撑基，特别优选为碳数1或2的烷撑基。上述通式A中，-R1的具体例，可举例如-CH3、-CH2CH3、-NH2、-NCH32、-NC2H52、-NHNH2等。-R2的具体例，可举例如-H、-CH3、-C2H5、-C3H7等。X-的具体例，可举例如卤化物离子氯化物离子、溴化物离子、碘化物离子等。上述通式A所表示的特定N取代羰基吡啶鎓化合物的具体例，可举例如1-氨甲酰吡啶鎓、1-氨甲酰基甲基吡啶鎓、1-二甲基氨甲酰基吡啶鎓、1-二乙基氨甲酰基吡啶鎓、1-肼基羰基甲基吡啶鎓、及1-丙酮基吡啶鎓的卤化物氯化物、溴化物、碘化物等。上述通式B中，-R1的具体例，可举例如与通式A时相同者。-R3的具体例，可举例如-C2H4-SO3-、-C3H6-SO3-等。上述通式B所表示的特定N取代羰基吡啶鎓化合物的具体例，可举例如氢氧化1-氨甲酰基甲基-4-2-磺酸基乙基吡啶鎓分子内盐、氢氧化1-氨甲酰基甲基-4-2-磺酸基丙基吡啶鎓分子内盐、氢氧化1-氨甲酰基-4-2-磺酸基乙基吡啶鎓分子内盐、氢氧化1-氨甲酰基-4-2-磺酸基丙基吡啶鎓分子内盐、氢氧化1-二甲基氨甲酰基-4-2-磺酸基乙基吡啶鎓分子内盐、氢氧化1-二甲基氨甲酰基-4-2-磺酸基丙基吡啶鎓分子内盐等。特定N取代羰基吡啶鎓化合物，可单独使用1种，也可混合2种以上使用。另外，本发明的镀覆液中的特定N取代羰基吡啶鎓化合物的合计含量，优选为0.01gL以上100gL以下，特别优选为0.1gL以上10gL以下。若为上述范围内，可使微小孔洞或微小凹部的外部的镍析出量增多，而能以不产生孔洞的方式来充填微小孔洞或微小凹部。本发明的镀覆液含有镍盐、pH缓冲剂及特定N取代羰基吡啶鎓化合物作为必须成分。于调制本发明的镀覆液时，可将上述必须成分以任意顺序添加至水中。另外，于保管时，能以仅将上述必须成分中的任意成分溶解于水的水溶液的状态来保管，于使用时，能通过添加其它成分而调制成含有所有必须成分的本发明的镀覆液。当本发明的镀覆液为电解镍合金镀覆液时，关于与镍的合金用的金属离子，可举例如钨、钼、钴、铁、锌、锡、铜、钯、金等。此等的金属源可使用周知的化合物。另外，于镍或镍合金皮膜中，也可含有非为金属的碳、硫、氮、磷、硼、氯、溴等。本发明的镀覆液中，于不阻碍本发明效果的范围内，也可视需要而添加抗凹剂、一次增亮剂、二次增亮剂、表面活性剂等。本发明的镀覆液，适合用于充填在电子电路零件内所形成的微小孔洞或微小凹部。如后述的实施例所示，当以本发明的镀覆液来充填微小孔洞或微小凹部时，微小孔洞或微小凹部的内部的析出量会变成多于微小孔洞或微小凹部外部的析出量，而可将镍或镍合金充分地埋入微小孔洞或微小凹部中。另外，于微小孔洞或微小凹部的内部不易产生孔洞洞或缝隙沟。因此，也由于镍的高熔点，可期待以本发明的镀覆液来充填微小孔洞或微小凹部的电子电路零件会具有高可靠性。＜镍合金镀覆充填方法、微小三维结构体的制造方法＞本发明的镍或镍合金镀覆充填方法，其中，对于在电子电路零件内所形成的微小孔洞或微小凹部的表面，事先施以电解镀覆用晶种层后，将该电子电路零件浸渍于前述电解镍合金镀覆液中，使用外部电源进行电解镀覆。另外，本发明的微小三维结构体的制造方法，包含：通过该镍或镍合金镀覆充填方法对微小孔洞或微小凹部进行镀覆充填的步骤。所谓“微小孔洞或微小凹部”，是指半导体或印刷基板等电子电路零件内所形成的通孔、贯穿孔、深沟等微小的凹陷部分，且为以电解镀覆等并通过充填金属而发挥作为配线部的功能的部分，由上方观看时的形状并无限定。另外，“微小孔洞”可为贯穿，也可为无贯穿。在实施本发明时，于电子电路零件内的被镀覆基板上必须形成有微小孔洞或微小凹部。被镀覆基材并无特别限制，具体而言，可举例如常作为电子电路零件使用的玻璃环氧材料、BTBismaleimide-triazine，双马来酰亚胺-三嗪树脂材料、聚丙烯材料、聚酰亚胺材料、陶瓷材料、硅材料、金属材料、玻璃材料等。于被镀覆基材形成微小孔洞或微小凹部的方法并无限制，可适当使用周知的方法。可举例如通过激光加工或离子蚀刻而进行的方法，能以开口部为100μm以下、纵横比为0.5以上的深度来形成微小凹部。然后，可视需要以光刻胶等在被镀覆基材表面形成图型pattern。当形成有微小凹部的被镀覆基材为绝缘基材时，于基材表面与微小凹部的内表面形成电解镀覆用晶种层。晶种层的形成方法并无特别限制，具体而言，可举例如通过溅镀而进行的金属沉积或无电镀覆法等。构成晶种层的金属并无特别限制，可例示如铜、镍、钯等。形成电解镀覆用晶种层后，将被镀覆基材浸渍于本发明的电解镍合金镀覆液中，使用外部电源实施电解镍合金镀覆，而于微小孔洞或微小凹部充填镍或镍合金。另外，当对于在形成晶种层后一度进行干燥而得的被镀覆基材进行镀覆时，依一般方法进行脱脂、酸洗净后，使用本发明的镀覆液进行电镀即可。依据包含“通过本发明的镍或镍合金镀覆充填方法对微小孔洞或微小凹部进行镀覆充填的步骤”的方法，可制造经镍或镍合金充填了微小孔洞或微小凹部的微小三维电路配线或微小三维结构体。镀覆温度优选为30℃以上，特别优选为40℃以上。另外，优选为70℃以下，特别优选为60℃以下。若为上述范围内，微小孔洞或微小凹部的充填性优异，于成本上也有利。镀覆时的电流密度，优选为0.1Adm2以上，特别优选为1Adm2以上。另外，优选为10Adm2以下，特别优选为5Adm2以下。若为上述范围内，微小孔洞或微小凹部的充填性优异，于成本上也有利。另外，电流密度，于镀覆充填中可一直保持为固定，也可为不固定例如，使初期的电流密度为低，缓缓地提升电流密度；设为脉冲电流等。电流密度，若于镀覆充填中一直保持为固定或者是在镀覆充填中绝大多数的时间为固定，则因可容易以不产生孔洞的方式来进行充填，故为优选。镀覆时间优选为5分钟以上，特别优选为10分钟以上。另外，优选为360分钟以下，特别优选为60分钟以下。若为上述范围内，微小孔洞或微小凹部的充填性优异，于成本上也有利。[实施例]以下，列举实施例及比较例以更具体地说明本发明，但只要不超过其要旨的范围内，本发明并不限定于此等实施例及比较例。实施例1至4、比较例1至3就微小凹部的模型而言，使用具有纵横比为0.88φ45μm×40μmD的激光孔的12mm见方的评价用印刷基板日本CIRCUIT股份有限公司制。将被镀覆部周边10的截面图示于图1。于厚度0.4mm的BTBismaleimide-triazine，双马来酰亚胺-三嗪制的基材11的通孔形成部分，贴合厚度12μm的铜箔13，于其上层压厚度60μm的预浸体类型prepregtype的叠构树脂build-upresin12后，以激光制作φ45μm、深度40μm的盲孔blindviahole以下，也有简称为“通孔洞viahole”、“通孔via”的情形14，于基板外表面叠构树脂12的表面及通孔14内壁面，以无电铜镀覆形成约1μm的晶种层15。再者，以干膜光刻胶DFR，dryfilmresist16形成图2所示的配线图型，使具有通孔14的焊垫开口部17φ190μm开口，将其作为评价用印刷基板1。图2中，白色部分为铜镀覆部，黑色部分为干膜光刻胶部。白色部分中，配线所连接的尺寸最大的圆形部分相当于图1的圆形焊垫17φ190μm。于圆形焊垫17整体，形成有图1所示的属于微小凹部的通孔14。＜电解镍镀覆液的调制＞以使氨磺酸镍为600gL、氯化镍为10gL、硼酸30gL的方式溶解于去离子水，调制成电解镍镀覆液。对上述的电解镍镀覆液，以表1所示的添加量添加表1所示的添加剂，使其溶解。接着，添加适量的100gL的氨磺酸水溶液，将pH调整为3.6，调制成本发明的电解镍镀覆液。[表1]＜通过电解镍镀覆而将通孔予以充填＞对上述评价用印刷基板1，以表2所示的步骤，进行电解镍镀覆。于电解镍镀覆步骤，使用外部电源并使电流密度为1.0Adm2。另外，关于镀覆面积，并非包含通孔14的侧面的表面积，而是仅计算开口部焊垫17平面的面积。[表2]＜镀覆充填性评价试验＞将镀覆后的基板埋入固定于研磨用的树脂后，进行截面研磨，以金属显微镜观察通孔的充填情形。关于充填性，在通孔内部的析出量多于通孔外部的析出量的状态下，于通孔内部未观测到孔洞洞或缝隙沟时为“○”，此外的其它情形为“×”。另外，观察通孔外部有无产生裂痕龟裂。当充填性为“○”且未产生裂痕时评价为「良好」，此外的其它情形评价为“不良”。将镀覆充填后的基板截面的显微镜照片示于图3至图9。另外，将评价结果示于表3。[表3]于实施例1至4，关于析出镍18的量，在属于微小凹部的通孔多于在通孔外部，能以使孔洞或缝隙消失的方式而良好地充填。另外，于通孔的外部未观察到裂痕。于比较例1，在通孔的内部与外部，析出镍18的量为相同程度的保形镀覆追随镀覆，充填性不良。于比较例2，于通孔的内部有孔洞V，充填性不良。于比较例3，于通孔的内部无孔洞，充填性良好，但析出部分非常脆弱而产生裂痕，在研磨后于通孔上部所析出的镍18可见显著的剥离。因此，作为微小三维结构体为不良。如实施例1至4、比较例1至3的结果所示，通过以含有通式A或通式B所表示的N取代羰基吡啶鎓化合物的电解镍镀覆液进行电解镀覆，能以镍良好地充填电子零件内所形成的微小孔洞，而能制作微小三维结构体。[产业上的可利用性]本发明的含有特定N取代羰基吡啶鎓化合物的电解镍合金镀覆液，能可靠性高地充填电子电路零件内的微小孔洞或微小凹部，可因应配线的进一步微细化，故能广泛地应用于三维配线形成或三维MEMS零件等。[附图标记说明]1评价用印刷基板10被镀覆部周边11基材12叠构树脂13铜箔14盲孔15晶种层16干膜光刻胶17焊垫18析出镍V孔洞。

权利要求：1.一种电解镍镀覆液或电解镍合金镀覆液，含有：镍盐、pH缓冲剂、以及下述通式A所表示的N取代羰基吡啶鎓化合物；通式A中，m为0或1；-R1为-R1a或-NR1bR1c，R1a为碳数1至6的烷基，R1b为氢原子或碳数1至6的烷基，R1c为氢原子、碳数1至6的烷基、或氨基-NH2；-R2为氢原子或碳数1至6的烃基；X-为任意的阴离子。2.根据权利要求1所述的电解镍镀覆液或电解镍合金镀覆液，其中，X-为卤化物离子。3.一种电解镍镀覆液或电解镍合金镀覆液，含有：镍盐、pH缓冲剂、以及下述通式B所表示的N取代羰基吡啶鎓化合物；通式B中，m为0或1；-R1为-R1a或-NR1bR1c，R1a为碳数1至6的烷基，R1b为氢原子或碳数1至6的烷基，R1c为氢原子、碳数1至6的烷基、或氨基-NH2；-R3为-R3a-SO3-，R3a为碳数1至6的烷撑基。4.根据权利要求1至3中任一项所述的电解镍镀覆液或电解镍合金镀覆液，其中，上述镍盐是选自由硫酸镍、氨磺酸镍、氯化镍、溴化镍、碳酸镍、硝酸镍、甲酸镍、乙酸镍、柠檬酸镍及氟硼酸镍所构成组中的一种以上。5.根据权利要求1至4中任一项所述的电解镍镀覆液或电解镍合金镀覆液，其中，上述pH缓冲剂是选自由硼酸、偏硼酸、乙酸、酒石酸及柠檬酸、及其盐所构成组中的一种以上。6.根据权利要求2、4或5所述的电解镍镀覆液或电解镍合金镀覆液，其中，通式A所表示的N取代羰基吡啶鎓化合物是选自由1-氨甲酰吡啶鎓的卤化物、1-氨甲酰基甲基吡啶鎓的卤化物、1-二甲基氨甲酰基吡啶鎓的卤化物、1-二乙基氨甲酰基吡啶鎓的卤化物、1-肼基羰基甲基吡啶鎓的卤化物及1-丙酮基吡啶鎓的卤化物所构成组中的一种以上化合物。7.根据权利要求3至5中任一项所述的电解镍镀覆液或电解镍合金镀覆液，其中，通式B所表示的N取代羰基吡啶鎓化合物是选自由氢氧化1-氨甲酰基甲基-4-2-磺酸基乙基吡啶鎓分子内盐、氢氧化1-氨甲酰基甲基-4-2-磺酸基丙基吡啶鎓分子内盐、氢氧化1-氨甲酰基-4-2-磺酸基乙基吡啶鎓分子内盐、氢氧化1-氨甲酰基-4-2-磺酸基丙基吡啶鎓分子内盐、氢氧化1-二甲基氨甲酰基-4-2-磺酸基乙基吡啶鎓分子内盐及氢氧化1-二甲基氨甲酰基-4-2-磺酸基丙基吡啶鎓分子内盐所构成组中的一种以上化合物。8.根据权利要求1至7中任一项所述的电解镍镀覆液或电解镍合金镀覆液，用于充填在电子电路零件内所形成的微小孔洞或微小凹部。9.一种镍或镍合金镀覆充填方法，其中，对于在电子电路零件内所形成的微小孔洞或微小凹部的表面，事先施以电解镀覆用晶种层后，将该电子电路零件浸渍于权利要求1至8中任一项所述的电解镍镀覆液或电解镍合金镀覆液中，使用外部电源进行电解镀覆。10.一种微小三维结构体的制造方法，包含：通过权利要求9所述的镍或镍合金镀覆充填方法对微小孔洞或微小凹部进行镀覆充填的步骤。

百度查询： 日本高纯度化学株式会社 电解镍(合金)镀覆液

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