申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

申请日：2019-06-18

公开（公告）日：2020-12-18

公开（公告）号：CN112099316A

主分类号：G03F7/20(20060101)

分类号：G03F7/20(20060101);G03F1/36(20120101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.02.21#授权;2021.01.05#实质审查的生效;2020.12.18#公开

摘要：一种光学邻近修正模型的校正方法及其系统，校正方法包括：提供具有原始图形的版图以及初始掩膜图层；通过版图图形化初始掩膜图层，形成掩膜图层；掩膜图层中与原始图形相对应的为测量图形，测量图形具有特征尺寸；对测量图形依次进行第一测量和第二测量，分别获得第一测量特征尺寸和第二测量特征尺寸；通过第一测量特征尺寸以及第二测量特征尺寸，获得测量图形的实际尺寸；基于实际尺寸对光学邻近修正模型进行校正。与将一次测量测量图形得到的尺寸，作为测量图形的实际尺寸的情况相比，本发明获得测量图形的实际尺寸，基于实际尺寸对光学邻近修正模型进行校正，使得获得的误差函数更加准确，进而使得光学邻近修正模型更准确。

主权项：1.一种光学邻近修正模型的校正方法，其特征在于，包括：提供具有原始图形的版图以及初始掩膜图层；通过所述版图图形化所述初始掩膜图层，形成掩膜图层；所述掩膜图层中与所述原始图形相对应的为测量图形，所述测量图形具有特征尺寸；对所述测量图形依次进行第一测量和第二测量，分别获得第一测量特征尺寸和第二测量特征尺寸；通过所述第一测量特征尺寸以及第二测量特征尺寸，获得所述测量图形的实际尺寸；基于所述实际尺寸对光学邻近修正模型进行校正。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 光学邻近修正模型的校正方法及其系统

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