申请/专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司

申请日：2023-12-14

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117406546B

主分类号：G03F1/38

分类号：G03F1/38;G03F1/42;G03F1/72

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2024.02.02#实质审查的生效;2024.01.16#公开

摘要：本发明公开了一种掩模版及其图形修正方法，掩模版用于半导体结构的曝光步骤，掩模版至少包括：多个图版，图版包括遮盖区域和光刻区域，遮盖区域和光刻区域连接，多个光刻区域的图案拼接并形成掩模版的光刻图案，其中本次曝光所使用的图版为二级图版，前一次曝光所使用的图版为一级图版；切割道，设置在图版上；以及第一辅助图案，设置在一级图版上，第一辅助图案位于光刻区域，且第一辅助图案分布在切割道中，其中第一辅助图案在二级图版上的正投影位于遮盖区域内。本发明提供了一种掩模版及其图形修正方法，能够准确地实现对半导体结构的多次曝光，提升制程良率。

主权项：1.一种掩模版的图形修正方法，其特征在于，包括以下步骤：在所述掩模版上设置辅助图案，其中所述辅助图案位于切割道中，且所述辅助图案分布在所述切割道的空白区域；根据半导体结构的曝光次数，将所述掩模版划分为多个图版，所述图版包括光刻区域和遮盖区域，其中本次曝光所使用的图版为二级图版，前一次曝光所使用的图版为一级图版，其中所述一级图版上的辅助图案为第一辅助图案；所述半导体结构包括光阻层，将所述一级图版的图案转移至所述光阻层上，并获取所述光阻层上所述第一辅助图案的位置；以及延伸所述二级图版的遮盖区域，直到所述第一辅助图案在所述二级图版上的正投影位于所述遮盖区域内；其中，延伸所述二级图版的遮盖区域的步骤包括：获取曝光后所述第一辅助图案的坐标数组；获取所述二级图版中所述遮盖区域的坐标集合；以及当所述坐标数组中任一坐标点位于所述坐标集合外，调整所述遮盖区域的边界，直到所述坐标集合覆盖所述坐标数组。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 合肥晶合集成电路股份有限公司 一种掩模版及其图形修正方法

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