申请/专利权人：广州新锐光掩模科技有限公司

申请日：2023-12-15

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117872671A

主分类号：G03F1/80

分类号：G03F1/80;G03F1/26

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本申请提供一种调整相移掩模版相位差和穿透率的方法及系统，应用相移掩模版的应用技术领域，其中，包括：对于相移层上已生成氧化层的相移掩模版，通过含氟干法蚀刻去除氧化层，通过含氧干法蚀刻生成氧化层，通过蚀刻作用控制相移层的厚度，以调整相移掩模版相位差和穿透率。本申请可以安全实现改善相移掩模版相位差和穿透率偏差问题，利用含氟等离子体对氧化层的蚀刻作用将其去除，而含氧等离子体的氧化作用可使氧化层重新形成，以此实现对相位差和穿透率的调整，不影响图形形态和关键尺寸，提高精确度和光刻分辨率。

主权项：1.一种调整相移掩模版相位差和穿透率的方法，其特征在于，包括：对于相移层上已生成氧化层的相移掩模版，通过含氟干法蚀刻去除氧化层，通过含氧干法蚀刻生成氧化层，通过蚀刻作用控制相移层的厚度，以调整相移掩模版相位差和穿透率。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 广州新锐光掩模科技有限公司 调整相移掩模版相位差和穿透率的方法及系统

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