申请/专利权人:上海探跃半导体设备有限公司
申请日:2023-09-05
公开(公告)日:2024-04-12
公开(公告)号:CN220773416U
主分类号:G03F1/84
分类号:G03F1/84
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2024.04.12#授权
摘要:本实用新型属于半导体制造技术领域,公开了一种掩膜版测量装置。该掩膜版测量装置包括工作台、掩膜版承载台和分析模块,掩膜版承载台安装于工作台上,掩膜版承载台的第一表面设有凹槽,凹槽用于收容掩膜版,凹槽的形状和掩膜版的形状匹配,凹槽的槽底设置有用于吸附掩膜版的真空吸附点;分析模块设于工作台上,分析模块用于对置于凹槽内的掩膜版上的图案进行测量。示例性地,工作台可以采用光刻机内部的工作台。本实用新型提供的掩膜版测量装置,通过凹槽的限位和真空吸附点的吸附,提高掩膜版的安装稳固性,避免掩膜版产生偏移;与现有的曝光测试相比,避免了掩膜版出现雾化缺陷,提高了掩膜版在使用过程中的可靠性。
主权项:1.掩膜版测量装置,其特征在于,包括:工作台;掩膜版承载台100,安装于所述工作台上,所述掩膜版承载台100的第一表面110设有凹槽111,所述凹槽111用于收容掩膜版400,所述凹槽111的形状和所述掩膜版400的形状匹配,所述凹槽111的槽底设置有用于吸附所述掩膜版400的真空吸附点112;分析模块300,设于所述工作台上,所述分析模块300用于对置于所述凹槽111内的所述掩膜版400上的图案进行测量。
全文数据:
权利要求:
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