申请/专利权人：华中科技大学

申请日：2019-12-23

公开（公告）日：2021-02-09

公开（公告）号：CN110862683B

主分类号：C08L79/08(20060101)

分类号：C08L79/08(20060101);C08L27/16(20060101);C08K9/10(20060101);C08K3/22(20060101);C08K3/08(20060101);C08J7/046(20200101);C08J5/18(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.02.09#授权;2020.03.31#实质审查的生效;2020.03.06#公开

摘要：本发明属于薄膜材料领域，并公开了一种高储能密度介电复合多层薄膜及其制备方法。该复合多层薄膜包括：顶层、中间层和底层，其中，顶层和底层的材料均为PEI，中间层的材料为PVDF，该中间层中填充有Ag包覆的纳米BaTiO3颗粒，该复合多层薄膜在500～650MVm的电场强度下最高达到20.6～21.3Jcm3的储能性能，储能效率最高达到80～82％。同时本发明还公开了该复合多层薄膜的制备方法。通过本发明，有效提高了电介质材料的储能密度、储能效率、击穿场强和温度稳定性。

主权项：1.一种高储能密度介电复合多层薄膜，其特征在于，该复合多层薄膜包括：顶层、中间层和底层，其中，顶层和底层的材料均为聚醚酰亚胺PEI，所述中间层的材料为PVDF，该中间层中填充有Ag包覆的纳米BaTiO3颗粒，该复合多层薄膜在500MVm～650MVm的电场强度下最高达到20.6Jcm3～21.3Jcm3的储能性能，储能效率最高达到80％～82％。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华中科技大学 一种高储能密度介电复合多层薄膜及其制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD