申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司;中国科学技术大学

申请日：2019-08-14

公开（公告）日：2021-02-23

公开（公告）号：CN112397404A

主分类号：H01L21/66(20060101)

分类号：H01L21/66(20060101);H01L21/67(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.03.22#授权;2021.03.12#实质审查的生效;2021.02.23#公开

摘要：本发明实施例涉及一种半导体制程检测方法及检测系统，检测方法包括：基于所述晶圆标签以及所述历史数据，对每一所述工艺站点建立分类器，所述历史数据作为所述分类器的输入，所述晶圆标签作为所述分类器的输出；基于所述分类器对每一工艺站点进行分类验证，获取每一工艺站点对应的实际准确度，所述实际准确度越高表征相应工艺站点对晶圆质量的贡献率越大；基于所述分类验证的结果，检测获取影响晶圆质量的至少一个关键工艺站点；上报所述关键工艺站点。本发明实施例能够及时有效的检测出多个工艺站点中影响晶圆质量的关键工艺站点。

主权项：1.一种半导体制程检测方法，半导体制程包括多个工艺站点，其特征在于，包括：收集晶圆标签以及所述多个工艺站点的历史数据，所述晶圆标签用于表征晶圆质量是否合格，且所述历史数据包括与每一所述工艺站点相对应的传感器数据；基于所述晶圆标签以及所述历史数据，对每一所述工艺站点建立分类器，所述历史数据作为所述分类器的输入，所述晶圆标签作为所述分类器的输出；基于所述分类器对每一工艺站点进行分类验证，获取每一工艺站点对应的实际准确度，所述实际准确度越高表征相应工艺站点对晶圆质量的贡献率越大；基于所述分类验证的结果，检测获取影响晶圆质量的至少一个关键工艺站点；上报所述关键工艺站点。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长鑫存储技术有限公司;中国科学技术大学 半导体制程检测方法及检测系统

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