申请/专利权人：美光科技公司

申请日：2020-08-04

公开（公告）日：2021-02-23

公开（公告）号：CN112397513A

主分类号：H01L27/108(20060101)

分类号：H01L27/108(20060101)

优先权：["20190816 US 16/543,065"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.03.25#授权;2021.03.12#实质审查的生效;2021.02.23#公开

摘要：本申请涉及氧化修整。描述了涉及使用氧气来修整半导体结构的方法、设备和系统。一种示例方法包含形成半导体结构的支撑结构，所述支撑结构具有工作表面上的第一硅酸盐材料。所述方法进一步包含在所述第一硅酸盐材料上形成第一氮化物材料。所述方法进一步包含在所述第一氮化物材料上形成第二硅酸盐材料。所述方法进一步包含在所述第二硅酸盐材料上形成第二氮化物材料。所述方法进一步包含穿过所述半导体结构形成开口。所述方法进一步包含在所述开口内沉积电极材料。所述方法进一步包含去除所述支撑结构的部分。所述方法进一步包含对所述电极材料的上部部分执行受控氧化修整。

主权项：1.一种用于氧化修整的方法，所述方法包括：形成半导体结构的支撑结构，所述半导体结构具有：位于工作材料101，201，301，401，501，601上的第一硅酸盐材料103；位于所述第一硅酸盐材料103上的第一氮化物材料105，205，305，405，505，605；位于所述第一氮化物材料105，205，305，405，505，605上的第二硅酸盐材料106；以及位于所述第二硅酸盐材料106上的第二氮化物材料108，208，308，408，508，608；穿过所述半导体结构形成开口132，232，332，432，532，632；在所述开口132，232，332，432，532，632内沉积电极材料223，323，423，523，623；去除所述支撑结构的部分；以及对所述电极材料223，323，423，523，623的上部部分执行受控氧化修整。

全文数据：

权利要求：

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