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【实用新型】采用多芯片堆叠结构的功率分立器件_华羿微电子股份有限公司_202021335170.2 

申请/专利权人:华羿微电子股份有限公司

申请日:2020-07-09

公开(公告)日:2021-02-23

公开(公告)号:CN212587507U

主分类号:H01L25/18(20060101)

分类号:H01L25/18(20060101);H01L23/495(20060101);H01L23/367(20060101);H01L23/373(20060101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2021.02.23#授权

摘要:本实用新型属于功率器件封装结构的技术领域,具体涉及一种采用多芯片堆叠结构的功率分立器件,其包括散热基板;至少两个芯片,其粘接在所述散热基板上;其中,所述至少两个芯片与所述散热基板之间,或者所述至少两个芯片之间,均设有导电银浆层。本实用新型的结构既能保证功率器件的散热要求,又实现大功率器件封装结构小型化的目的。

主权项:1.一种采用多芯片堆叠结构的功率分立器件,其特征在于,包括:散热基板;至少两个芯片,其分别粘接在所述散热基板上,或者所述至少两个芯片以堆叠的方式粘接在所述散热基板上;其中,所述至少两个芯片与所述散热基板之间,或者所述至少两个芯片之间,均设有导电银浆层。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 华羿微电子股份有限公司 采用多芯片堆叠结构的功率分立器件

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