申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请日：2020-12-18

公开（公告）日：2021-04-09

公开（公告）号：CN112635397A

主分类号：H01L21/768(20060101)

分类号：H01L21/768(20060101)

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态：2023.10.27#发明专利申请公布后的驳回;2021.04.27#实质审查的生效;2021.04.09#公开

摘要：本发明公开了一种通孔的制造方法，包括：步骤一、在层间膜表面形成DARC层；步骤二、在DARC层表面形成无氮掺杂的碳涂层；步骤三、在无氮掺杂的碳涂层的表面形成低温氧化层，由无氮掺杂的碳涂层和低温氧化层叠加形成硬质掩膜层；步骤四、进行光刻形成光刻胶图形将通孔的形成区域打开；步骤五、以光刻胶图形为掩膜对通孔的形成区域的硬质掩膜层进行第一次刻蚀；步骤六、以硬质掩膜层为掩膜对依次对DARC层和层间膜进行第二次刻蚀形成通孔的开口。本发明能得到小尺寸以及高深宽比的通孔。

主权项：1.一种通孔的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供表面形成有层间膜的底层结构，在所述层间膜表面形成DARC层；步骤二、在所述DARC层表面形成无氮掺杂的碳涂层；步骤三、在所述无氮掺杂的碳涂层的表面形成低温氧化层，由所述无氮掺杂的碳涂层和所述低温氧化层叠加形成硬质掩膜层；步骤四、进行光刻形成光刻胶图形，所述光刻胶图形将所述通孔的形成区域打开；步骤五、以所述光刻胶图形为掩膜对所述通孔的形成区域的所述硬质掩膜层进行第一次刻蚀并将所述通孔的形成区域外的所述硬质掩膜层去除，所述通孔的形成区域外的所述硬质掩膜层保留；步骤六、以所述硬质掩膜层为掩膜对依次对所述DARC层和所述层间膜进行第二次刻蚀形成所述通孔的开口。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司 通孔的制造方法

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