【发明公布】半导体元件内部影像信息检测方法_超能高新材料股份有限公司_201910959063.2 

申请/专利权人:超能高新材料股份有限公司

申请日:2019-10-10

发明/设计人:魏汝超;孙泰炎;罗仁昱;陈东林

公开(公告)日:2021-04-13

代理机构:北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司

公开(公告)号:CN112649444A

代理人:侯奇慧

主分类号:G01N21/95(20060101)

地址:中国台湾桃园市

分类号:G01N21/95(20060101);H01L21/66(20060101)

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2021.04.13#公开

摘要:一种用于半导体元件内部影像信息的检测方法,应用于一半导体元件,该半导体元件包含一垂直堆栈结构,其内部信息无法以单次扫描完整取得。内部信息检测方法首先是将镜头对焦于半导体元件表面清晰的焦平面位置取像,接者将焦平面位置向下移动一景深距离取像,重复动作至半导体元件底层,最后依据取得的多个影像判断半导体元件内部信息。

主权项:1.一种半导体元件内部影像信息的检测方法,用以得到半导体元件内部信息的三维分布关系,其特征在于,包含下列步骤:A将镜头焦平面移动对焦至半导体元件表面,再依检测需求将焦平面移至半导体元件内部特定高度层,并对半导体元件内部该高度层进行扫描;B依据该影像判断分析半导体元件内部信息;C综合该影像高度层位置与上述内部信息,得到半导体元件内部信息的三维分布关系。

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