申请/专利权人：北京理工大学重庆创新中心;北京理工大学

申请日：2020-12-22

公开（公告）日：2021-04-13

公开（公告）号：CN112652771A

主分类号：H01M4/62(20060101)

分类号：H01M4/62(20060101);H01M4/505(20100101);H01M4/525(20100101);H01M10/0525(20100101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.12.14#授权;2021.04.30#实质审查的生效;2021.04.13#公开

摘要：本发明公开了一种多阴离子掺杂单晶高镍正极材料及其制备方法，包括以下步骤：S1、将阴离子A与锂盐和高镍单晶三元前驱体三者在无水乙醇中混合均匀，得到第一混合物；S2、将第一混合物置于管式炉中进行煅烧，得到单阴离子掺杂的单晶高镍正极材料；S3、将阴离子B与S2中得到的单晶高镍正极材料分别置于管式炉中进行气相掺杂即得。本发明通过将掺有一种阴离子的前驱体煅烧得到单阴离子掺杂的单晶高镍三元正极材料，随后将另一种阴离子与已得到的单阴离子掺杂的高镍单晶三元正极材料进行气相掺杂，成功得到了多阴离子掺杂的高镍单晶正极材料，克服了传统方式不能有效实现多阴离子掺杂的缺陷，掺杂效果优异，成功提高了单晶高镍三元材料的倍率性能。

主权项：1.一种多阴离子掺杂单晶高镍正极材料的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、称取一定质量的含有阴离子A的单质、化合物或有机物，将其与锂盐和高镍单晶三元前驱体三者在无水乙醇中混合均匀，并研磨一定时间，待无水乙醇完全挥发，得到第一混合物；S2、将第一混合物置于管式炉中进行煅烧，得到单阴离子掺杂的单晶高镍正极材料；S3，称取一定质量的含有阴离子B的单质、化合物或有机物，将其与S2中得到的单晶高镍正极材料分别置于管式炉中进行气相掺杂，得到多阴离子掺杂的单晶高镍正极材料；其中，阴离子A和阴离子B不相同，含有阴离子A的单质、化合物或有机物的分解温度高于含有阴离子B的单质、化合物或有机物的分解温度。

全文数据：

权利要求：

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