申请/专利权人：富士胶片株式会社

申请日：2019-07-30

公开（公告）日：2021-04-27

公开（公告）号：CN112714963A

主分类号：H01L41/187(20060101)

分类号：H01L41/187(20060101);B81B3/00(20060101);B81C1/00(20060101);C23C14/08(20060101);H01L41/09(20060101);H01L41/113(20060101);H01L41/22(20130101)

优先权：["20180830 JP 2018-161453"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.05.14#实质审查的生效;2021.04.27#公开

摘要：一种压电器件1及制造方法，在基板10上形成由锆钛酸铅系的钙钛矿型氧化物的薄膜构成的压电膜24，在还原气氛中对压电膜的第1区域24A及第2区域24B中至少第1区域照射波长230nm以下的电磁波R。由此，对第1区域及第2区域中的压电特性设定差异，将第1区域设为压电常数d31的绝对值及介电损耗tanδ比第2区域的压电常数d31的绝对值及介电损耗tanδ小的区域。

主权项：1.一种压电器件，该压电器件是第1压电元件部及第2压电元件部被支撑于一个结构体而成的，所述第1压电元件部具备第1压电膜区域和与该第1压电膜区域接触的第1电极，所述第2压电元件部具备第2压电膜区域和与该第2压电膜区域接触的第2电极，所述第1压电膜区域和所述第2压电膜区域具有以锆钛酸铅系的钙钛矿型氧化物为主成分的相同的阳离子比，第1压电膜区域和所述第2压电膜区域具有彼此不同的压电特性，所述第1压电膜区域的压电常数d31的绝对值及介电损耗tanδ小于所述第2压电膜区域的压电常数d31的绝对值及介电损耗tanδ。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 富士胶片株式会社 压电器件及压电器件的制造方法

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