申请/专利权人：光华临港工程应用技术研发(上海)有限公司

申请日：2020-12-28

公开（公告）日：2021-04-27

公开（公告）号：CN112713181A

主分类号：H01L29/06(20060101)

分类号：H01L29/06(20060101);H01L29/267(20060101);G01N27/12(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.08.05#授权;2021.05.14#实质审查的生效;2021.04.27#公开

摘要：本发明提供了一种气体传感器的制备方法及气体传感器，所述方法包括以下步骤：提供一晶圆，所述晶圆具有硅衬底和表面的缓冲层；在所述缓冲层表面生长一N型半导体层；刻蚀所述N型半导体层、缓冲层、以及部分硅衬底，形成沟槽；在所述N型半导体层表面的两侧形成电极；在所述N型半导体层、缓冲层、以及硅衬底表面形成一导电层；去除多余的导电层，形成覆盖沟槽处晶圆的导电层；在所述导电层处生长纳米线，在沟槽中形成悬空纳米线。本发明提供了一种具有较低接触电阻和工作电压，且无需退火处理的，基于原位桥接生长ZnO纳米线的气体传感器，有利于实现大规模制备高性能片上气体传感器。

主权项：1.一种气体传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一晶圆，所述晶圆具有硅衬底和表面的缓冲层；在所述缓冲层表面生长一N型半导体层；刻蚀所述N型半导体层、缓冲层、以及部分硅衬底，形成沟槽；在所述N型半导体层表面的两侧形成电极；在所述N型半导体层、缓冲层、以及硅衬底表面形成一导电层；去除多余的导电层，形成覆盖沟槽处晶圆的导电层；在所述导电层处生长纳米线，在沟槽中形成悬空纳米线。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 光华临港工程应用技术研发(上海)有限公司 气体传感器的制备方法及气体传感器

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