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【发明公布】绝缘栅双极型晶体管_东南大学;无锡华润上华科技有限公司_201911065246.6 

申请/专利权人:东南大学;无锡华润上华科技有限公司

申请日:2019-11-04

公开(公告)日:2021-05-07

公开(公告)号:CN112768517A

主分类号:H01L29/739(20060101)

分类号:H01L29/739(20060101);H01L29/06(20060101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2022.06.21#授权;2021.05.25#实质审查的生效;2021.05.07#公开

摘要:本发明涉及一种绝缘栅双极型晶体管,包括设于所述漂移区上的阳极第一导电类型区,所述阳极第一导电类型区包括第一区和第二区,所述阳极第二导电类型区包括第三区和第四区,所述第一区的掺杂浓度小于所述第二区,所述第三区的掺杂浓度小于所述第四区,所述第三区设于所述第四区和所述体区之间,所述第一区设于所述第四区下方,所述第二区设于所述第三区下方、且位于所述第一区和所述体区之间。本发明能够在线性电流区域提高注入效率,获得更低的导通压降;并且在饱和电流区域降低饱和电流,获得更大的安全工作区。

主权项:1.一种绝缘栅双极型晶体管,包括第一导电类型的漂移区、所述漂移区上第二导电类型的体区,所述体区内的阴极第一导电类型区和阴极第二导电类型区,所述漂移区上的阳极第二导电类型区,第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型;其特征在于,还包括设于所述漂移区上的阳极第一导电类型区,所述阳极第一导电类型区包括第一区和第二区,所述阳极第二导电类型区包括第三区和第四区,所述第一区的掺杂浓度小于所述第二区,所述第三区的掺杂浓度小于所述第四区,所述第三区设于所述第四区和所述体区之间,所述第一区设于所述第四区下方,所述第二区设于所述第三区下方、且位于所述第一区和所述体区之间。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 东南大学;无锡华润上华科技有限公司 绝缘栅双极型晶体管

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