申请/专利权人：南京晶驱集成电路有限公司

申请日：2020-10-22

公开（公告）日：2021-06-08

公开（公告）号：CN112162469B

主分类号：G03F7/20(20060101)

分类号：G03F7/20(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.06.08#授权;2021.01.19#实质审查的生效;2021.01.01#公开

摘要：本发明提出一种光刻图形的仿真方法及仿真系统，包括：预设一基板厚度参数，光阻层厚度参数及掩膜版；根据所述基板厚度参数，所述光阻层厚度参数及所述掩膜版，模拟入射光照射在光阻层上，所述入射光经过所述基板反射后形成反射光，所述反射光和所述入射光形成驻波；调整预设参数，以调整所述驻波的波峰和波谷的位置；模拟显影处理，以获得所述光刻图形；判断所述驻波的波峰是否位于所述光刻图形的底部和或判断所述基板的反射率是否小于阈值；若是，则将调整后的所述预设参数用于实验中；若否，则再次调整所述预设参数。本发明提出的光刻图形的仿真方法可以模拟光刻图形的制造过程，解决光刻图形不稳定的问题。

主权项：1.一种光刻图形的仿真方法，其特征在于，包括：预设基板厚度参数，光阻层厚度参数及掩膜版；根据所述基板厚度参数，所述光阻层厚度参数及所述掩膜版，模拟入射光照射在光阻层上，所述入射光经过所述基板反射后形成反射光，所述反射光和所述入射光形成驻波；调整预设参数，以调整所述驻波的波峰和波谷的位置；模拟显影处理，以获得所述光刻图形；判断所述驻波的波峰是否位于所述光刻图形的底部和或判断所述基板的反射率是否小于阈值；若是，则将调整后的所述预设参数用于实验中；若否，则再次调整所述预设参数；其中，当所述基板厚度参数包括抗反射层厚度参数时，则所述预设参数包括抗反射层厚度参数；其中，在预设范围内根据所述抗反射层厚度参数，依次增加或减小抗反射层的厚度，以获取多个所述驻波；其中，当任一所述驻波的波峰的位置位于所述光刻图形的底部和或所述基板的反射率小于阈值时，则确定所述抗反射层的厚度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南京晶驱集成电路有限公司 一种光刻图形的仿真方法及仿真系统

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