申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司

申请日：2021-03-18

公开（公告）日：2021-07-20

公开（公告）号：CN113140505A

主分类号：H01L21/768(20060101)

分类号：H01L21/768(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.08.11#授权;2021.08.06#实质审查的生效;2021.07.20#公开

摘要：本发明公开了一种通孔的制造方法，包括：步骤一、依次形成硬质掩膜层、介质抗反射层、底部抗反射层和光刻胶。步骤二、对光刻胶进行图形化并形成第一开口。步骤三、进行第一次刻蚀将图形转移到底部抗反射层和介质抗反射层中并形成第二开口；第一次刻蚀的刻蚀气体中包括不敏锐气体和敏锐气体，通过调节非敏锐气体的气体含量调节第二开口的关键尺寸。步骤四、依次对硬质掩膜层和层间膜进行刻蚀将图形向下转移并在层间膜中形成通孔开口。本发明能提高通孔的关键尺寸大小的稳定性，从而能防止由于通孔的关键尺寸偏差而导致的产品良率问题。

主权项：1.一种通孔的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在需要形成通孔的层间膜表面上依次形成硬质掩膜层、介质抗反射层、底部抗反射层和光刻胶；步骤二、对所述光刻胶进行图形化并形成第一开口，所述第一开口位于所述通孔的形成区域；步骤三、以所述光刻胶为掩膜依次对所述底部抗反射层和所述介质抗反射层进行第一次刻蚀将图形转移到所述底部抗反射层和所述介质抗反射层中，图形化后的所述底部抗反射层和所述介质抗反射层中形成有第二开口，所述第二开口位于所述第一开口底部且是所述第一开口向下转移形成；所述第一次刻蚀的刻蚀气体中包括不敏锐气体和敏锐气体，所述敏锐气体的气体含量变化对所述第二开口的关键尺寸变化大于所述非敏锐气体的气体含量变化对所述第二开口的关键尺寸变化；所述第一次刻蚀中会在所述第二开口的侧面形成聚合物，通过调节所述非敏锐气体的气体含量调节所述第二开口的侧面聚合物的厚度来调节所述第二开口的关键尺寸；步骤四、依次对所述硬质掩膜层和所述层间膜进行刻蚀将图形向下转移并在所述层间膜中形成通孔开口，所述通孔开口的关键尺寸由所述第二开口定义。

全文数据：

权利要求：

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