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【发明公布】阵列基板制作方法及阵列基板_北海惠科光电技术有限公司;惠科股份有限公司_202110377208.5 

申请/专利权人:北海惠科光电技术有限公司;惠科股份有限公司

申请日:2021-04-08

公开(公告)日:2021-07-23

公开(公告)号:CN113161291A

主分类号:H01L21/77(20170101)

分类号:H01L21/77(20170101);H01L27/12(20060101);G02F1/1362(20060101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2022.11.15#授权;2021.08.10#实质审查的生效;2021.07.23#公开

摘要:本申请属于显示面板技术领域,提供了一种阵列基板制作方法及阵列基板,其中阵列基板制作方法包括以下步骤:S1、在衬底上依次制作半导体层、金属层和光阻层;S2、采用湿蚀刻法对金属层进行处理;S3、采用完成第一道湿蚀刻的金属层作为光罩对光阻层进行曝光和显影;S4、采用干蚀刻法将半导体层暴露在光阻层外的区域去除;S5、采用湿蚀刻法再次对金属层进行处理,形成数据线和半导体尾巴;阵列基板采用阵列基板制作方法制作完成。本申请提供的阵列基板制作方法及阵列基板通过在步骤S2和步骤S4之间增加步骤S3,使得光阻层的覆盖宽度减小,进而使对半导体层进行干蚀刻时半导体层的覆盖宽度减小,从而有效地缩短了半导体尾巴的长度。

主权项:1.一种阵列基板制作方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、在衬底上依次制作半导体层、金属层和光阻层;S2、采用湿蚀刻法将金属层暴露在光阻层外的区域去除;S3、采用完成第一道湿蚀刻的金属层作为光罩对光阻层进行曝光和显影,将光阻层暴露在金属层外的区域去除;S4、采用干蚀刻法将半导体层暴露在光阻层外的区域去除;S5、采用湿蚀刻法将金属层位于薄膜晶体管的沟道内的金属去除,形成数据线和半导体尾巴。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 北海惠科光电技术有限公司;惠科股份有限公司 阵列基板制作方法及阵列基板

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