申请/专利权人：杭州电子科技大学

申请日：2021-07-20

公开（公告）日：2021-11-16

公开（公告）号：CN113659430A

主分类号：H01S5/10(20210101)

分类号：H01S5/10(20210101);H01S5/30(20060101);H01S5/125(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.04.11#授权;2021.12.03#实质审查的生效;2021.11.16#公开

摘要：本发明公开了一种基于半导体增益的低阈值Tamm态等离子激光器，该激光器由衬底，布拉格反射镜DBRs，有源增益层，金属层和金属圆柱阵列组成。在性能上与传统的激光器相比，本发明的激光器谐振腔具有超窄线宽，进而使得Q值很高，阈值很低。在制备上，在实际的器件制备中用银层代替了传统的上层DBR，减少了激光器的体积。且本发明采用半导体增益材料替代了传统的增益，大大减小了制备工艺的复杂性，同时极大节约了激光器的制作成本，展示出了巨大的应用前景。

主权项：1.一种基于半导体增益的低阈值Tamm态等离子激光器，其特征在于：所述激光器由金属圆柱阵列组成激光器结构，从下往上依次包括衬底1，由不同折射率材料组成的布拉格反射镜2,半导体增益层3，金属层4和金属圆柱阵列5。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 杭州电子科技大学 一种基于半导体增益的低阈值Tamm态等离子激光器

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