申请/专利权人：中国科学院上海技术物理研究所

申请日：2020-05-22

公开（公告）日：2021-12-31

公开（公告）号：CN111580198B

主分类号：G02B5/00(20060101)

分类号：G02B5/00(20060101);G02B5/20(20060101);G02B1/00(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.12.31#授权;2020.09.18#实质审查的生效;2020.08.25#公开

摘要：本发明公开一种基于Tamm态诱导的超宽截止窄带通滤波器，器件结构自下而上由衬底、底层一维光子晶体、第一介质层、负介电常数材料层、第二介质层、顶层一维光子晶体组成。当特定波长的光照射在此窄带通滤波器上时，会在负介电常数材料层与光子晶体的交界处激发Tamm等离激元，诱导该波长的光能透过该器件，形成窄带透射，定义窄带透射中心波长为该器件的中心波长，通过调整光子晶体的禁带和反射相位能够灵活地改变中心波长的透射峰位。该器件截止范围可从深紫外到远红外，中心波长从可见到红外可调，并且结构简单、层数少，易与探测器集成。

主权项：1.一种基于Tamm态诱导的超宽截止窄带通滤波器，其特征在于:所述的超宽截止窄带通滤波器的结构自下而上依次为：衬底1，底层一维光子晶体2，第一介质层3，负介电常数材料层4，第二介质层5，顶层一维光子晶体6；所述的底层一维光子晶体2为生长方向垂直于衬底表面的周期性交替介质薄膜，由两种或两种以上的不同折射率的介质材料组成，其光子禁带包含超宽截止窄带通滤波器要求透过的中心波长λ0；所述的顶层一维光子晶体6为生长方向垂直于衬底表面的周期性交替介质薄膜，由两种或两种以上的不同折射率的介质材料组成，其光子禁带包含超宽截止窄带通滤波器要求透过的中心波长λ0；所述的第一介质层3的厚度要求波长在中心波长λ0的入射光在第一介质层3上表面的反射相位满足Tamm等离激元的激发条件：其中k为整数，为负介电常数材料层4下表面的反射相位；所述的第二介质层5的厚度要求波长在中心波长λ0的入射光在第二介质层5下表面的反射相位满足Tamm等离激元的激发条件：其中k为整数，为负介电常数材料层4上表面的反射相位。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院上海技术物理研究所 一种基于Tamm态诱导的超宽截止窄带通滤波器

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