申请/专利权人：和舰芯片制造(苏州)股份有限公司

申请日：2020-05-13

公开（公告）日：2021-11-19

公开（公告）号：CN113675136A

主分类号：H01L21/768(20060101)

分类号：H01L21/768(20060101);H01L21/67(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.11.14#授权;2021.12.07#实质审查的生效;2021.11.19#公开

摘要：本发明公开了提供一种包含接触窗的集成电路生产方法，集成电路包含衬底和沉积于衬底上的氧化层，方法包含以下步骤：步骤一，对集成电路进行转平边处理；步骤二，对集成电路进行高温烘烤处理；步骤三，对氧化层进行蚀刻处理以形成沟槽；步骤四，在沟槽中依次沉积粘结层和导电层以形成接触窗。该方法有效避免了接触窗出现高电阻现象。本发明同时提供一种执行该方法的机台以及使用该方法生产的包含接触窗的集成电路。

主权项：1.一种包含接触窗的集成电路生产方法，其特征在于，所述集成电路包含衬底和沉积于所述衬底上的氧化层，所述方法包含以下步骤：步骤一，对所述集成电路进行转平边处理；步骤二，对所述集成电路进行高温烘烤处理；步骤三，对所述氧化层进行蚀刻处理以形成沟槽；步骤四，在所述沟槽中依次沉积粘结层和导电层以形成接触窗。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 和舰芯片制造(苏州)股份有限公司 包含接触窗的集成电路生产方法、机台及集成电路

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