申请/专利权人：厦门科技产业化集团有限公司

申请日：2021-08-19

公开（公告）日：2021-11-19

公开（公告）号：CN214795740U

主分类号：G05F1/567(20060101)

分类号：G05F1/567(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.11.19#授权

摘要：带隙基准电压源，属于集成电路领域，本实用新型为解决传统的带隙基准电压源受到工艺偏差影响大，输出电压不精准且与温度相关的问题。本实用新型包括电阻R1～R11，双极型晶体管Q1～Q7，NMOS晶体管NM1～NM2，PMOS晶体管PM1～PM2和电容C1；晶体管Q3、Q4的基极接到电阻R5两端实现IPTAT电流的产生，晶体管Q5、NM2、Q6和电阻R9、R8形成负反馈环路，用于抑制电源波动提高电源抑制比，使得VBG的电压在有电源纹波的情况下更稳定。在该环路内还使用到调零电阻R10和弥勒补偿电容C1，调节该环路的相位裕度。晶体管Q1、Q2，电阻R1、R2、R3、R4，晶体管NM1、PM1、PM2共同组成了零温度系数的共源共栅电压电流偏置部分，有效阻止电源纹波的干扰和减小温度影响。

主权项：1.带隙基准电压源，其特征在于，包括电阻R1～R11，双极型晶体管Q1～Q7，NMOS晶体管NM1～NM2，PMOS晶体管PM1～PM2和电容C1；电源VDD同时连接电阻R3的一端、PMOS晶体管PM1的源端、PMOS晶体管PM2的源端、双极型集体管Q7的集电极和基极；双极型集体管Q7的发射极连接电阻R7的一端，电阻R7的另一端连接双极型集体管Q6的集电极；电源地GND同时连接双极型集体管Q1、Q3、Q4、Q5的发射极、电阻R4的一端和电阻R11的一端；双极型晶体管Q1的基极同时连接电阻R1的一端和电阻R2的一端；双极型晶体管Q1的集电极同时连接电阻R1的另一端和双极型晶体管Q2的基极；电阻R2的另一端同时连接电阻R3的另一端、NMOS晶体管NM1的栅极和NMOS晶体管NM2的栅极；NMOS晶体管的NM2的源端连接双极型集体管Q5的集电极；电阻R4的另一端连接双极型集体管Q2的发射极；双极型集体管Q2的集电极连接NMOS晶体管NM1的源端；NMOS晶体管NM1的漏端同时连接PMOS晶体管PM2的栅极、PMOS晶体管PM1的漏端和栅极；双极型集体管Q3的基极同时连接电阻R5的一端和电阻R6的一端；双极型集体管Q3的集电极同时连接电阻R5的另一端和双极型集体管Q4的基极；双极型集体管Q4的集电极同时连接电阻R8的一端、电容C1的一端和双极型集体管Q5的基极；电容C1的另一端连接电阻R10的一端；电阻R8的另一端连接电阻R9的一端；电阻R9的另一端同时连接电阻R6的另一端、电阻R11的另一端和双极型集体管Q6的发射极，并作为带隙基准电压VBG输出端口；双极型集体管Q6的基极同时连接PMOS晶体管PM2的漏端、电阻R10的一端和NMOS晶体管NM2的漏端，并作为外部电压VBIAS输出端口。

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