申请/专利权人：长安大学

申请日：2019-09-30

公开（公告）日：2022-01-04

公开（公告）号：CN110783472B

主分类号：H01L51/50(20060101)

分类号：H01L51/50(20060101);H01L51/54(20060101);H01L51/56(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.01.04#授权;2020.03.06#实质审查的生效;2020.02.11#公开

摘要：本发明公开了一种含PMOT:PPVZnO:CuZnO:Al异质结的LED的制备方法，其特征在于，包括在ITO衬底上生长ZnO:CuZnO:Al异质结，将PMOT和PPV的混合溶液旋涂于ZnO:CuZnO:Al异质结的ZnO:Cu多晶层表面进行热处理，最后在ZnO:Cu多晶层表面镀上Ti电极，即得；所述的在ITO衬底上生长ZnO:CuZnO:Al异质结包括先在ITO衬底上生长ZnO:Al多晶层，然后将其放入乙酸锌和硝酸铜的混合溶液中，在ZnO:Al多晶层表面上生长ZnO:Cu多晶层，最终，ITO衬底上得到ZnO:CuZnO:Al异质结。本发明经过基于半导体能带工程的光谱调制，实现了490nm的主发光峰，能提供更为优秀的光生物效应。本发明制备方法过程简单安全、所用设备和原料价格低廉，适合产业化大规模制备。

主权项：1.一种含PMOT:PPVZnO:CuZnO:Al异质结的LED的制备方法，其特征在于，包括在ITO衬底上生长ZnO:CuZnO:Al同质结，将PMOT和PPV的混合溶液旋涂于ZnO:CuZnO:Al同质结的ZnO:Cu多晶层表面进行热处理，最后在具有PMOT:PPV膜层的ZnO:Cu多晶层表面镀上Ti电极，即得；所述的在ITO衬底上生长ZnO:CuZnO:Al同质结包括先在ITO衬底上生长ZnO:Al多晶层，然后将其放入乙酸锌和硝酸铜的混合溶液中，在ZnO:Al多晶层表面上生长ZnO:Cu多晶层，最终，ITO衬底上得到ZnO:CuZnO:Al同质结。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长安大学 一种含PMOT:PPV/ZnO:Cu/ZnO:Al异质结的LED及其制备方法

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