申请/专利权人：湖南大学

申请日：2021-10-21

公开（公告）日：2022-01-28

公开（公告）号：CN113990737A

主分类号：H01L21/02(20060101)

分类号：H01L21/02(20060101);H01L29/24(20060101);H01L29/786(20060101);C23C16/30(20060101);C23C16/44(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.02.18#实质审查的生效;2022.01.28#公开

摘要：本发明属于二维材料制备和器件性能研究领域，具体公开了无光刻方法来制造超短沟道WSe2场效应晶体管的方法，步骤为：VCl3原料在530‑580℃的挥发温度、Se原料在360‑380℃的挥发温度下挥发；挥发后的原料以载气、600～620℃的沉积温度下在WSe2二维材料的表面反应沉积，随后冷却，沉积的相邻VSe2的晶界裂开形成超短沟道，制得所述的超短沟道VSe2‑WSe2二维材料。本发明还包括所述的方法制得的材料以及材料的应用。本发明方法，通过所述的材料以及工艺的联合控制，能够意外地在无光刻下获得窄沟道的材料，且该方法制得的材料制成的器件具有更优的性能。

主权项：1.一种超短沟道VSe2-WSe2二维材料的制备方法，其特征在于：VCl3原料在530-580℃的挥发温度、Se原料在360-380℃的挥发温度下挥发；挥发后的原料以载气、600～620℃的沉积温度下在WSe2二维材料的表面反应沉积，随后冷却，沉积的相邻VSe2的晶界裂开形成超短沟道，制得所述的超短沟道VSe2-WSe2二维材料；所述的WSe2二维材料的平面尺寸大于或等于80μm；所述的载气为含氢气-保护气的混合气，其中，保护气的流量为80～130sccm，H2流量为1～4sccm；VCl3、Se的质量比为1：0.5～2。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 湖南大学 一种超短沟道VSe₂-WSe₂二维材料及其制备和应用

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