申请/专利权人：新拓尼克科技(成都)有限公司

申请日：2022-01-27

公开（公告）日：2022-05-06

公开（公告）号：CN114442960A

主分类号：G06F3/06

分类号：G06F3/06

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态：2024.04.09#发明专利申请公布后的驳回;2022.05.24#实质审查的生效;2022.05.06#公开

摘要：本发明公开了一种无惧异常掉电并增加使用寿命的固态存储方案，包括固态硬盘，所述固态硬盘包括四个MRAM芯片、NAND芯片和控制器，四个MRAM芯片组成数据缓存器。本发明可以做到异常掉电无任何数据丢失，替用户保存珍贵的数据，可在异常掉电的“断点”处继续接收未传输完成的数据，节约重复传输时间，采用把文件系统存储在MRAM内的方法，可大幅提高固态硬盘的稳定、可靠性，可以广泛应用于医疗电子，数据中心，军工电子等，可以大幅提高固态硬盘的使用寿命，可以大幅提高固态硬盘的随机写性能。

主权项：1.一种无惧异常掉电并增加使用寿命的固态存储方案，包括固态硬盘，其特征在于，所述固态硬盘包括四个MRAM芯片、NAND芯片和控制器，四个MRAM芯片组成数据缓存器，其固态存储方案如下：S1当控制器获取到外部小容量数据时，暂存在MRAM芯片内，当达到一定量后，再合并打包转存入NAND芯片内；S2当控制器需要修改已存在NAND芯片内的随机数据时，可直接在MRAM芯片内完成修改并暂存在MRAM芯片内；当暂存的随机数据达到一定量后，再合并打包存入NAND芯片内；S3在数据传输过程中，若出现异常掉电，已经传输完成的那部分数据不会丢失；S4当供电恢复正常后，可在“断点”处继续接收和存储断电前未传输完成的数据，节约数据重复传输时间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 新拓尼克科技(成都)有限公司 一种无惧异常掉电并增加使用寿命的固态存储方案

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